数据表
MOS场效应
2SK2478
开关
N沟道功率MOS FET
工业用
描述
该2SK2478是N沟道MOS场效应晶体管设计的
对于高压开关的应用程序。
包装尺寸
（以毫米）
特点
低导通电阻
R
DS （ ON）
= 7.5
(V
GS
= 10 V，I
D
= 1.0 A)
10.0±0.3
3.2±0.2
4.5±0.2
2.7±0.2
15.0±0.3
3±0.1
4±0.2
绝对最大额定值（T
A
= 25 C)
漏源极电压
栅极至源极电压
漏电流（ DC ）
漏电流（脉冲） *
总功率耗散（T
c
= 25 C)
总功率耗散（T
A
= 25 C)
通道温度
储存温度
单雪崩电流**
单雪崩能量**
*
PW
≤
10
S，占空比
≤
1 %
V
DSS
V
GSS
I
D（ DC）的
I
D（脉冲）
P
T1
P
T2
T
ch
T
英镑
I
AS
E
AS
900
±30
±2.0
±8.0
30
2.0
150
2.0
16.5
V
V
A
A
W
W
C
A
mJ
1 2 3
0.7±0.1
2.54
1.3±0.2
1.5±0.2
2.54
13.5MIN.
12.0±0.2
低C
国际空间站
C
国际空间站
= 485 pF的典型。
高雪崩能力评级
孤立的TO-220封装
2.5±0.1
0.65±0.1
1.门
2.漏
3.源
-55 + 150℃
**
起始物为
ch
= 25 ° C，R
G
= 25
,
V
GS
= 20 V
→
0
MP- 45F （隔离TO- 220 ）
漏
体
二极管
门
来源
一号文件D10270EJ1V0DS00 （第1版）
发布日期1995年P月
日本印刷
1995
