TPS65120 ， TPS65121 ， TPS65123 ， TPS65124
SLVS531 - 2004年6月
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应用实例
TPS65120
V
IN
2.7 V至5.5 V
GPIO
门
V
GH
高达+20 V / 2毫安
C2
220 nF的
R2
LDOIN
LDOOUT
AGND
A
D1
SWN
L1
10
H
SWP
FBL
R3
R4
V
GL
低至-18 V / 2毫安
C3
220 nF的
VIN
C1
2.2
F
RUN
EN
VGH
R1
FBH
VMAIN
FBM
BOOT
R5
C4 R6
1
F
V
主
3.0 V至5.3 V / 25毫安
C5
220 nF的
V
逻辑
= 3.3 V
C6
220 nF的
A
保护地
图23.完整的TFT- LCD电源1节锂离子电池
TPS65123
V
IN
2.7 V至5.5 V
VIN
C1
RUN
EN
RUN
门
V
GH
R1
C2
220 nF的
R2
VMAIN
FBM
BOOT
保护地
A
D1
SWN
L1
SWP
FBL
R4b
RUN
N型MOS
VISHAY SI1032
R3
C3
220 nF的
V
GL
VGH
FBH
R4a
V
主
R5
C4
1
F
R6
C5
220 nF的
AGND
A
V
GL
=
V
主
×
R
3
R
4a
1.2
V
主
R
4b
=
R
3
R
4a
V
GL _ OFFThreshold
1.2
V
主
= 5.0 V, V
GH
= 15 V, V
GL
= 10 V
R
3
= 540千欧，R
4a
= 270千欧，R
4b
= 680 k
图24. V
GL
→
V
主
掉电测序阈值移位
EN
负
LDO
V
GL2
C7
TPS65121
V
IN
C1
RUN
EN
GPIO
门
VGH
V
GH
R1
C2
220 nF的
R2
LDOIN
LDOOUT
AGND
A
D1
SWN
L1
R4
SWP
FBL
R3
C3
＆ GT ;
C7
V
GL1
VIN
FBH
VMAIN
FBM
BOOT
R5
C4 R6
1
F
C5
220 nF的
V
主
V
逻辑
C6
220 nF的
A
保护地
负LDO = TPS723xx系列
图25.产生额外的负栅极驱动电压
20
