数据表
MOS场效应
2SK2158
N沟道MOS FET
对于高速切换
的2SK2158是N沟道纵型MOS场效应管featur-
荷兰国际集团的操作电压低至1.5V。因为它可以
驱动上的低电压，这是没有必要考虑
驱动电流，该2SK2158是适合于低电压用途
便携式系统，如耳机立体声系统和摄像机等。
包装尺寸
（单位：毫米）
0.4
–0.05
2.8
±
0.2
1.5
+0.1
+0.1
0.65
–0.15
2.9
±
0.2
特点
能够驱动门与1.5 V
由于具有高输入阻抗，就没有必要
考虑驱动电流。
偏置电阻可以省略，从而减少了总
零件的数量。
0.95 0.95
2
+0.1
+0.1
1
0.3
记号
1.1至1.4
0-0.1
0.16
–0.06
标记： G23
引脚连接
1.源极（S ）
2.栅极（G）
3.漏极（D ）
等效电路
3
国内
二极管
2
栅极保护
二极管
1
绝对最大额定值（T
A
= 25 C)
参数
漏源极电压
栅极至源极电压
漏电流（ DC ）
漏电流（脉冲）
符号
V
DSS
V
GSS
I
D（ DC）的
I
D（脉冲）
PW
≤
10毫秒，
占空比
≤
50 %
总功耗
通道温度
储存温度
P
T
T
ch
T
英镑
200
150
-55到+150
mW
C
C
V
GS
= 0
V
DS
= 0
测试条件
评级
50
±7.0
±0.1
±0.2
单位
V
V
A
A
一号文件D11234EJ1V0DS00 （第1版）
发布日期1996年P月
日本印刷
0.4
–0.05
3
1996
