晶体管
P
C
- TA
1.2
120
印刷circut板：铜
为1cm箔领域
2
或更多，并且
的1.7毫米板厚度
对于集电部。
Ta=25C
100
2SD2185
I
C
— V
CE
集电极到发射极饱和电压V
CE （ SAT ）
(V)
10
3
1
0.3
0.1
0.03
0.01
0.003
0.001
0.01 0.03
Ta=75C
25C
–25C
V
CE （ SAT ）
— I
C
I
C
/I
B
=50
集电极耗散功率P
C
(W)
1.0
集电极电流I
C
（MA ）
I
B
=400A
80
350A
300A
60
250A
200A
40
150A
20
100A
50A
0.8
0.6
0.4
0.2
0
0
20
40
60
80 100 120 140 160
0
0
2
4
6
8
10
12
0.1
0.3
1
3
10
环境温度Ta （C ）
集电极到发射极电压V
CE
(V)
集电极电流I
C
(A)
V
BE （ SAT ）
— I
C
100
h
FE
— I
C
I
C
/I
B
=50
300
V
CE
=2V
240
f
T
— I
E
V
CB
=10V
Ta=25C
基地发射极饱和电压V
BE （ SAT ）
(V)
250
Ta=75C
200
25C
150
–25C
100
过渡频率f
T
（兆赫）
1
3
10
30
10
3
1
0.3
0.1
0.03
0.01
0.01 0.03
Ta=–25C
100C
正向电流传输比H
FE
200
160
25C
120
80
50
40
0.1
0.3
1
3
10
0
0.01 0.03
0.1
0.3
0
–1
–3
–10
–30
–100
集电极电流I
C
(A)
集电极电流I
C
(A)
发射极电流I
E
（MA ）
C
ob
— V
CB
60
集电极输出电容C
ob
（PF ）
50
I
E
=0
f=1MHz
Ta=25C
40
30
20
10
0
1
3
10
30
100
集电极基极电压V
CB
(V)
2
