双极模拟集成电路
PC8182TB
3 V ， 2.9 GHz的MMIC硅
中等输出功率放大器
移动通信
描述
该
PC8182TB是设计为放大器，用于移动通信的硅单片集成电路。该IC
工作在3 V的中等输出功率，适用于射频-TX的移动通信系统中的。
该IC采用了30 GHz的F制造
最大
UHS0 （超高速加工）的硅双极工艺。这
工艺采用直接氮化硅钝化膜和金电极。这些材料可以保护芯片表面
从污染和防止腐蚀/迁移。因此，该集成电路具有优异的性能，均匀性和可靠性。
特点
电源电压： V
CC
= 2.7 3.3 V
电路电流：I
CC
= 30毫安TYP 。 @ V
CC
= 3.0 V
中等输出功率：P
O（ 1分贝）
= 9.5 dBm的典型。 @ F = 0.9 GHz的
P
O（ 1分贝）
= 9.0 dBm的典型。 @ F = 1.9 GHz的
P
O（ 1分贝）
= 8.0 dBm的典型。 @ F = 2.4 GHz的
功率增益：摹
P
= 21.5分贝TYP 。 @ F = 0.9 GHz的
G
P
= 20.5分贝TYP 。 @ F = 1.9 GHz的
G
P
= 20.5分贝TYP 。 @ F = 2.4 GHz的
上限工作频率：F
u
= 2.9 GHz的典型。 @ 3 dB带宽
高密度表面安装： 6针超级minimold封装（ 2.0
×
1.25
×
0.9 mm)
应用程序广告
在1.9 2.4 GHz的移动通信系统的缓冲放大器
订购信息（焊锡含铅）
产品型号
包
6针超级Minimold
记号
C3F
供给方式
压纹带8mm宽
引脚1 ， 2 ，磁带的3面侧穿孔
数量3千件/卷
PC8182TB-E3
备注
如需订购样品评价，请你最近的销售部门。样品订购部件号：
PC8182TB
订购信息（无铅）
产品型号
包
6针超级Minimold
记号
C3F
供给方式
压纹带8mm宽
引脚1 ， 2 ，磁带的3面侧穿孔
数量3千件/卷
PC8182TB-E3-AZ*
*注意：
请参见本数据手册的最后一页， “符合欧盟指令”无铅符合RoHS
合规性信息。
一号文件PU10206EJ01V0DS （第1版）
（上一页第P14543EJ2V0DS00 ）
发布日期2002年12月CP （ K）
NEC化合物半导体器件1999年，
2002
