晶体管
2SD1996
NPN硅外延平面型
用于低电压输出放大
静音
用于DC-DC转换器
0.15
单位：mm
6.9±0.1
0.7
4.0
1.05 2.5±0.1
(1.45)
±0.05
0.8
s
特点
q
q
q
q
0.65最大。
14.5±0.5
0.45
–0.05
+0.1
低集电极到发射极饱和电压V
CE （ SAT ）
.
低导通电阻R
on
.
高盼着电流传输比H
FE
.
让供应与径向录音。
0.45
–0.05
2.5±0.5
1
2
2.5±0.5
3
+0.1
参数
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
峰值集电极电流
集电极电流
集电极耗散功率
结温
储存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
CP
I
C
P
C
T
j
T
英镑
评级
25
20
12
1
0.5
600
150
–55 ~ +150
单位
V
V
V
A
A
mW
C
C
0.45
+0.1
– 0.05
1.2±0.1
0.65
马克斯。
注意：除了
所示引线型
上图所示，
在如图所示键入
下图是
也可提供。
1 ：发射器
2 ：收藏家
3 ：基本
MT1类型封装
2.5±0.1
s
绝对最大额定值
(Ta=25C)
0.85
1.0
s
电气特性
(Ta=25C)
参数
符号
I
CBO
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
h
FE1*1
h
FE2
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
f
T
C
ob
R
on*3
*3
R
on
（ HW型）
条件
V
CB
= 25V ，我
E
= 0
I
C
= 10μA ，我
E
= 0
I
C
= 1mA时，我
B
= 0
I
E
= 10μA ，我
C
= 0
V
CE
= 2V ，我
C
= 0.5A
*2
V
CE
= 2V ，我
C
= 1A
*2
I
C
= 0.5A ，我
B
= 20mA下
I
C
= 0.5A ，我
B
= 50毫安
V
CB
= 10V ，我
E
= -50mA ， F = 200MHz的
V
CB
= 10V ，我
E
= 0中，f = 1MHz的
民
典型值
最大
100
收藏家Cuto FF电流
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
正向电流传输比
集电极到发射极饱和电压
基地发射极饱和电压
跃迁频率
集电极输出电容
ON resistanse
3.5±0.1
0.8
单位
nA
V
V
V
25
20
12
200
60
0.13
0.4
1.2
200
10
1.0
*2
800
V
V
兆赫
pF
测量电路
1k
脉冲测量
*1
h
FE1
等级分类
I
B
=1mA
秩
h
FE1
R
200 ~ 350
S
300 ~ 500
T
400 ~ 800
R
on
=
V
B
V
V
V
A
f=1kHz
V=0.3V
V
B
!1000()
V
A
–V
B
1
