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PD4564441 ， 4564841 ， 4564163
1.输入/输出引脚功能
引脚名称
CLK
CKE
输入/输出
输入
输入
功能
CLK是主时钟输入。其它输入信号被引用到CLK崛起
边缘。
CKE确定下一个CLK （时钟）的有效性。如果CKE为高时，下一个CLK的上升沿
边缘是有效的;否则它是无效的。如果在CLK的上升沿是无效的，内部时钟
不发的
PD4564xxx暂停操作。
当
PD4564xxx是不是在突发模式和CKE被否定，器件进入
掉电模式。在掉电模式下， CKE必须保持低电平。
/ CS为低电平启动命令输入周期。当/ CS为高电平时，命令被忽略
但行动仍在继续。
/ RAS ， / CAS和/我们对传统的DRAM ，但不同的符号相同
功能。有关详细信息，请参阅命令表。
在CLK （时钟）的活性上升沿A13 - 行地址由A0确定
指令周期。它不依赖于该位的组织。
列地址由A0确定 - A9在CLK的上升沿，在读或写
指令周期。这取决于对位机构： A0 - A9的
×4
设备， A0 - A8为
×8
设备， A0 - A7的
×16
装置。
A12和A13是银行选择信号（ BS ） 。在命令周期， A12和A13低
选择银行A， A12低， A13高选择银行B， A12高， A13的低选择银行
℃，然后A12和A13高选择银行D.
A10定义了预充电模式。当A10为高，在预充电命令周期，
所有银行都预充电;当A10为低电平时，选择由A12和A13是唯一的银行
预充电。
当A10是高读取或写入命令周期，预充电自动启动
后突发访问。
DQM控制I / O缓冲器。在
×16
产品， UDQM和LDQM控制高字节和
低字节的I / O缓冲器，分别。
在读取模式下， DQM的控制输出缓冲器像以往/ OE引脚。
DQM高， DQM低转输出缓冲器和关闭，分别为。
DQM的延迟读出的是2个时钟周期。
在写入模式下， DQM控制字面具。输入数据被写入到存储单元是否
DQM低但如果DQM高。
DQM的延迟写为零。
DQ管脚具有相同的功能，在传统的DRAM I / O引脚。
V
CC
和V
SS
在电源引脚内部电路。 V
CC
Q和V
SS
Q为动力
电源引脚的输出缓冲器。
/ CS
输入
/ RAS ， / CAS ， / WE
输入
A0 - A13
输入
DQM ， UDQM ，
LDQM
输入
DQ0 - DQ15
V
CC
, V
SS
, V
CC
Q,
V
SS
Q
输入/输出
（电源）
10
数据表E0149N10
