在（T电气特性
A
= 25℃，除非另有说明）表1（续）
击穿电压
V
（ BR ）
（伏）
（注1 ）
民
64.6
67.5
71.3
73.8
77.9
81.9
86.5
90.0
95.0
99.0
105
108
114
117
124
136
143
144
152
153
162
162
171
180
190
198
209
225
237
270
285
315
333
360
380
396
418
最大
71.4
82.5
78.8
90.2
86.1
100.0
95.5
110
105
121
116
132
126
143
137
165
158
176
168
187
179
198
189
220
210
242
231
275
263
330
315
385
368
440
420
484
462
最大
反向
泄漏
在V
WM
I
D（注4 ）
(A)
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
最大
峰值脉冲
电流I
PPM
（注2 ）
JEDEC
TYPE
数
1N6291A
1N6292
1N6292A
1N6293
1N6293A
1N6294
1N6294A
1N6295
1N6295A
1N6296
1N6296A
1N6297
1N6297A
1N6298
1N6298A
1N6299
1N6299A
1N6300
1N6300A
1N6301
1N6301A
1N6302
1N6302A
1N6303
1N6303A
一般
半导体
部分
数
1.5KE68A
1.5KE75
1.5KE75A
1.5KE82
1.5KE82A
1.5KE91
1.5KE91A
1.5KE100
1.5KE100A
1.5KE110
1.5KE 110A
1.5KE120
1.5KE120A
1.5KE130
1.5KE130A
1.5KE150
1.5KE150A
1.5KE160
1.5KE160A
1.5KE170
1.5KE170A
1.5KE180
1.5KE180A
1.5KE200
1.5KE200A*
1.5KE220
1.5KE220A*
1.5KE250
1.5KE250A
1.5KE300
1.5KE300A
1.5KE350
1.5KE350A
1.5KE400
1.5KE400A
1.5KE440
1.5KE440A
TEST
当前
at
（毫安）I
T
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
对峙
电压
V
WM
（伏）
58.1
60.7
64.1
66.4
70.1
73.7
77.8
81.0
85.5
89.2
94.0
97.2
102
105
111
121
128
130
136
138
145
146
154
162
171
175
185
202
214
243
256
284
300
324
342
356
376
安培
16.3
13.9
14.6
12.7
13.3
11.5
12.0
10.4
10.9
9.5
9.9
8.7
9.1
8.0
8.4
7.0
7.2
6.5
6.8
6.1
6.4
5.8
6.1
5.2
5.5
4.4
4.6
4.2
4.4
3.5
3.6
3.0
3.1
2.6
2.7
2.4
2.5
最大
夹紧
电压在我
PPM
Vc
（伏）
92.0
109
104
118
113
131
125
144
137
158
152
173
165
187
179
215
207
230
219
244
234
258
246
287
274
344
328
360
344
430
414
504
482
574
548
631
602
最大
温度
第五COEF网络cient
（ BR ）
(% / °C)
0.104
0.105
0.105
0.105
0.105
0.106
0.106
0.106
0.106
0.107
0.107
0.107
0.107
0.107
0.107
0.108
0.106
0.106
0.108
0.108
0.108
0.108
0.108
0.108
0.108
0.108
0.108
0.110
0.110
0.110
0.110
0.110
0.110
0.110
0.110
0.110
0.110
注意事项：
(1) V
（ BR ）
之后，我测
T
申请300μS ，我
T
=方波脉冲或同等学历
（2 ）浪涌每图的电流波形。 3 ，每个图减免。 2
（ 3 ）所有的术语和符号与ANSI / IEEE CA62.35一致
（ 4 ）对于双向型与V
R
10伏，少了我
D
限制一倍
*双向版本是跨线的保护下，组件通过UL认证， ULV1414文件号E108274
（ 1.5KE200CA ， 1.5KE220CA ）
+ UL认证的电信应用程序保护， 497B ，文件号E136766为单向和双向器件
应用
该系列硅瞬态抑制器采用的是应用大电压瞬变会永久损坏电压敏感元件。
该TVS二极管可以在应用中的农村或偏远输电线路感应雷击提出了一个危险的电子电路中使用
（参考： R.E.A.规范体育60 ） 。
这个瞬态电压抑制器二极管具有1500瓦的脉冲的额定功率为1毫秒。的TVS二极管的钳位作用的响应时间是有效的例化
taneous （1× 10
-9
秒双向） ;因此，它们能保护集成电路， MOS器件，混合动力汽车，以及其它电压敏感的半导体和组件。
TVS二极管也可以使用串联或并联，以增加峰值功率额定值。
