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茂矽
开关波形（写周期）
写周期1 （我们控制）
(4)
t
WC
地址
t
WR(2)
t
CW(6)
CE
1
t
AW
CE
2
t
AS
WE
t
WP(1)
产量
t
WHZ
输入
t
DW
t
DH
t
CW(6)
V62C51864
51864 12
写周期2 （ CE控制）
(4)
t
WC
地址
t
CW(6)
CE
1
t
AW
CE
2
t
AS
WE
高-Z
t
DW
输入
51864 13
t
WR(2)
(4)
t
CW(6)
产量
t
DH
(5)
注意事项：
1.
存储器的内部写入时间由的重叠限定
1
和CE积极WElow 。这两个信号必须积极
CE
2
启动任何一个信号可以通过将非活动结束写入。数据输入建立和保持时间应参考
因此终止了写入的信号的第二过渡边缘。
2.
t
WR
从CE的早期测定或WE变为高电平，或CE变低在写周期的结束。
1
2
3.
在此期间， I / O引脚处于输出状态，以使相位相反的到输出端的输入信号不能被应用。
4.
OE = V
IL
或V
IH
。然而，建议保持OE V
IH
在写周期，以避免总线冲突。
at
5.
如果CE为低电平且CE为高，在此期间， I / O引脚的输出状态。相位相反，则数据输入信号
1
2
到输出端不能适用于它们。
6.
t
CW
从CE变低或CE变为高电平来写的末端测量。
1
2
V62C51864 2.1版1998年6月
8
