LM2734
应用信息
（续）
电流。因此，建议使V
BOOST
be
大于2.5V以上V
SW
为获得最佳的效率。 V
BOOST
–
V
SW
应不超过5.5V的最高工作极限。
5.5V
＆ GT ;
V
BOOST
– V
SW
＆ GT ;
2.5V以获得最佳性能。
所示
图4中。
当使用从一系列的齐纳二极管
输入，保证了输入电源的调控不
创建属于推荐的V以外的电压
BOOST
电压。
(V
INMAX
– V
D3
)
＆ LT ;
5.5V
(V
INMIN
– V
D3
)
＆ GT ;
1.6V
20102308
20102309
图3. V
OUT
C充电
BOOST
当LM2734启动时，从内部电路
BOOST引脚最大为20mA供应到C
BOOST
。这
目前对C充电
BOOST
到足以使所述电压
接通。升压引脚将继续为源电流
C
BOOST
直到在反馈引脚的电压大于
0.76V.
存在各种方法来推导V
BOOST
:
1.从输入电压（V
IN
)
2.从输出电压（V
OUT
)
3.从外部分布式电压轨（V
EXT
)
4.从一并联或者串联的齐纳二极管
在的Simplifed框图
图1中，
电容
C
BOOST
和二极管D2供给栅极驱动电流为
NMOS开关。电容C
BOOST
通过经由二极管D2的充电
V
IN
。在正常的开关周期中，当内部
NMOS控制开关处于关闭状态（T
关闭
） （参照
图2），
V
BOOST
等于V
IN
减去D2的正向电压（V
FD2
） ，在此期间
其中电流在电感器（L）的正向偏置
肖特基二极管D1 （V
FD1
） 。因此，电压存储
C两端
BOOST
is
V
BOOST
- V
SW
= V
IN
- V
FD2
+ V
FD1
当NMOS开关导通（T
ON
），开关销上升
to
V
SW
= V
IN
– (R
DSON
X我
L
),
强制V
BOOST
上升从而反向偏置D2 。电压
在V
BOOST
然后
V
BOOST
= 2V
IN
– (R
DSON
X我
L
) – V
FD2
+ V
FD1
这大约是
2V
IN
- 0.4V
对于许多应用。的这样的栅极驱动电压
NMOS开关约
V
IN
- 0.2V
充电℃的另一种方法
BOOST
是D2连接
如图所示的输出
网络连接gure 3 。
的输出电压应
在2.5V和5.5V之间，因此，适当的栅极电压将
被施加到内部开关。在该电路中，C
BOOST
提供栅极驱动电压，该电压比V略小
OUT
.
在应用中，两个V
IN
和V
OUT
大于
5.5V或3V以下，C
BOOST
不能直接充电
从这些电压。如果V
IN
和V
OUT
大于5.5V ，
C
BOOST
可以从V充电
IN
或V
OUT
减去齐纳
电压通过放置一个齐纳二极管D3串联D2中，如
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8
图4.齐纳减少从V升压
IN
另一种方法是，将齐纳二极管D3的
并联配置，如图
图5中。
小到为350mW
500mW的5.1V稳压采用SOT- 23和SOD包可
用于此目的。一个小的陶瓷电容，如
6.3V ， 0.1μF电容器（C4）应放置在平行
齐纳二极管。当内部的NMOS开关导通时，一
脉冲电流被吸入到内部的NMOS栅极进行充电
电容。 0.1 μF并联的并联电容确保可靠
该V
BOOST
电压在这段时间内保持。
电阻R3的选择应提供足够的RMS电流
出租给齐纳二极管（D3 ）和所述升压销。一
对于齐纳电流推荐选择（我
齐纳
）为1毫安。
目前我
BOOST
进入BOOST引脚提供门
电流在NMOS控制开关和变化通常
根据下列公式计算：
I
BOOST
= 0.56 ×（ D + 0.54 ）× （Ⅴ
齐纳
– V
D2
）毫安
其中，D为占空比，V
齐纳
和V
D2
是在伏，且
I
BOOST
在毫安。 V
齐纳
时的电压施加到
升压二极管的阳极（ D2）和V
D2
是平均
横跨D2的正向电压。请注意，此公式对于我
BOOST
给人的典型电流。为最坏的情况下，我
BOOST
，提高了
电流的40％。在这种情况下，最坏的情况下升压电流
会
I
BOOST -MAX
= 1.4 ×1
BOOST
R3然后由下式给出
R3 = （V
IN
- V
齐纳
） / （ 1.4 ×1
BOOST
+ I
齐纳
)
例如，设V
IN
= 10V, V
齐纳
= 5V, V
D2
= 0.7V ，我
齐纳
= 1mA时，与占空比D = 50 ％ 。然后
I
BOOST
= 0.56 ×（ 0.5 + 0.54 ）×（ 5 - 0.7 ）毫安= 2.5毫安
R3 = （ 10V - 5V ） / （ 1.4× 2.5毫安+ 1毫安） = 1.11kΩ
