LM27241
应用信息
（续）
输入电容必须放在尽可能靠近
功率级。
MOSFET的
选择场效应管的控制器必须小心
考虑到效率，散热和驱动
要求。通常情况下，组件选择时
按照最有效的FET，用于一个给定的价格。
当寻找一个场效应晶体管，它通常有助于构成一个
电子表格中的关键参数。这些参数可以是
概括为导通电阻（R
DS_ON
） ，栅极电荷（Q
GS
),
上升和下降时间（T
r
和T
f
） 。耗散在一个给定的功率
设备随后可根据以下计算
公式：
高侧FET ：
P = P
C
+ P
GC
+ P
SW
哪里
P
C
= D ×（我
OUT2
个R
DS_ON
)
P
GC
= 5V ×Q个
GS
架F
P
SW
= 0.5× V
IN
X我
OUT
X （T
r
+ t
f
） X F
低边FET ：
P = P
C
+ P
GC
哪里
P
C
= （ 1 - D） ×（我
OUT2
个R
DS_ON
)
P
GC
= 5V ×Q个
GS
架F
一会注意到，栅极电荷的要求应
低，以确保良好的效率。但是，如果一个FET的栅极
充电要求太低（低于8nC ）时，FET可以
打开不合逻辑。一个很好的起点10A的负载是
使用高侧和低侧FET每一个的导通电阻
5mΩ的的（ FET导通电阻是温度的函数，
因此，最好是应用适当的校正
FET中数据表提供的因子） ，栅极到源极的电荷
8nC （ 36 NC总栅极电荷） ，T的
r
= 11ns的，T
f
= 47ns ，并且
1.4温度系数。对于5V输入和1.2V / 10A
输出（ F = 300kHz的） ，这会产生0.62 W上的功耗
（高侧FET ）和0.54 W（低边FET ） 。的效率是
然后91％。而同样的FET可以用于两者
高侧和低侧，最佳性能可能并不
实现的。
仅在输入电容器的情况下，这种情况可能是
不同，因为进行说明。
20120189
图13.评估板瞬态响应
V
OUT
= 1.50VDC ，V
IN
= 14V
IOUT步= 2.5A至5A和5A至2.5A负载阶跃。
输入电容
在降压稳压器，输入电容提供了大部分的
脉冲电流波形的开关要求。但
的电流的直流（平均）值，通过在电容器中
稳定状态必须是零。否则，该电容器将
开始积累的电荷每一个周期，这将
显然不是从定义上代表了“稳定状态” 。
通过输入电容的计算公式为RMS电流
然后
的函数D（ 1 - D）的极大值在D = 0.5。这将
对应于5V / 0.5 = 10V的输入电压。和输入
电容电流在这种最坏的情况下，输入电压会
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