LM3641
电气特性
符号
t
过度充电
（续）
规范与标准脸型对于T
J
= 25 ，和那些与
黑体字
申请过
整个工作温度范围内。
除非另有规定ED ，V
SS
= 0V, V
DD
= 3.6V, V
启用
= V
DD
.
参数
瞬态过充
抑制时间（注8 ）
过放电瞬间
抑制时间（注8 ）
过电流瞬变
拒绝时间
脉冲的占空比充电
V
最大
＆ LT ;
V
CELL
＆ LT ;
V
安全
V
CELL
＆ GT ;
V
安全
L
→
H
H
→
L
条件
典型
（注4 ）
1.6
0.57
2.64
t
过放电
4
3
6
t
过电流
DC
6
87.5
50
5
3
极限
（注5 ）
单位
s
秒（分钟）
S（ MAX）的
s
秒（分钟）
S（ MAX）的
ms
%
%
ms
t
ENABLE -DELAY
从上升沿/下降沿延迟
使能引脚FET的ON / OFF
（注9 ）
MOSFET的阈值电压
最小电池电压的
可以充电，V
门
≈
V
DD
（注10 ）
最大产量高
全部引脚的电压
完整的源出/吸入电流
引脚三态
最大R
SENSE
当前
R
SENSE
范围
V
恢复
V
MIN- CHARGE
±
36
0
mV
V
V
全高型
I
全关
I
R- SENSE
R
SENSE
V+
＆ GT ;
V
最大
I
满
＆ LT ;
4 A
V+
＆ LT ;
V
最大
V
满
= 0V
长短
＆ LT ;
6毫秒
V
DD
1.2V
10
60
4
nA
A
m
注1 ：
最大极限值是指超出这可能会损坏设备的限制。工作额定值表明该设备得到更好地条件
往往是功能性的，但不保证特定的性能极限。关于规范保证和测试环境，请参阅电气特性。该瓜尔
规格及担仅适用于列出的测试条件。一些性能特性可能会降低，当设备没有下所列出的测试操作
条件。
注2 ：
最大允许功耗是通过使用P计算
DMAX
= (T
JMAX
T
A
)/θ
JA
，其中t
JMAX
= 150℃ ，T
A
是在环境温度下，并
θ
JA
= 160 ° C / W 。
注3 ：
人体模型是一个100pF的电容通过一个1.5 kΩ电阻向每个引脚放电。
注4 ：
典型值是在25℃，代表最可能的参数指标。
注5 ：
极限是100 ％的产品在25℃的测试。限制在工作温度范围内，通过使用统计质量控制保证
（ SQC ）方法。这些限制是用来计算美国国家半导体的平均出厂质量水平（ AOQL ） 。
注6 ：
特殊应用。在设备的国家的生产测试该模拟参数的值进行编程。请联系您当地的销售NSC
办公室指定的V
最大
, I
MAX- CHG
我
MAX- DIS
订购此设备时的值。 V
最大
可以4.0V和4.4V之间进行编程。我
MAX- CHG
可以编程
之间的1A和5A 。我
MAX- DIS
可以如图1A和5A之间进行编程。
注7 ：
I
供应
包括V
DD
发生在各t销的峰值电流
样品
期。在我
DD
峰值电流持续时间大约是2.2毫秒并且我
VDD
峰值电流
大约120 μA 。
注8 ：
从吨的最坏情况值的4个采样周期计算
样品
和T
样品多收
.
注9 ：
高脉冲
＆ LT ;
3毫秒（典型值），将通常被忽略和低脉冲
＆ LT ;
5毫秒（典型值），将通常被忽略。
注10 ：
V
MIN- CHARGE
将M3的阈值来限定。
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