绝对最大额定值
（注1 ）
如果是用于军事/航空航天特定网络版设备是必需的，
请向美国国家半导体销售办事处/
经销商咨询具体可用性和规格。
ESD容差（注2 ）
机器型号
人体模型
LMV822/824
LMV821
差分输入电压
电源电压（V -V ）
输出短路V（注3 ）
输出短路V（注3 ）
焊接信息
红外线或对流（ 20秒）
存储温度范围
结温（注4 ）
235C
-65_C到150_C
150C
+
+
工作额定值
（注1 ）
电源电压
温度范围
LMV821 ， LMV822 ， LMV824
40C
≤T
J
2.5V至5.5V
≤85C
100V
2000V
1500V
热阻（ θ
JA
)
超微型SC70-5封装
5引脚表面贴装
微小的SOT23-5封装
表面贴装
5-Pin
440 ° C / W
265 ° C / W
±
电源电压
5.5V
SO封装， 8引脚表面
MOUNT
MSOP封装， 8引脚迷你
表面
MOUNT
SO封装， 14引脚表面
MOUNT
TSSOP封装， 14引脚
190 ° C / W
235 ° C / W
145 ° C / W
155 ° C / W
2.7V DC电气特性
除非另有说明，所有参数保证对于T
J
= 25°C 。 V
+
= 2.7V, V
粗体
限制适用于极端温度。
符号
V
OS
TCV
OS
I
B
I
OS
CMRR
+ PSRR
-PSRR
V
CM
参数
输入失调电压
输入失调电压平均
漂移
输入偏置电流
输入失调电流
共模抑制比
正电源。
抑制比
负电源
抑制比
输入共模电压
范围
0V
≤
V
CM
≤
1.7V
1.7V
≤
V
≤
4V, V = 1V, V
O
=
0V, V
CM
= 0V
+
-
= 0V, V
CM
= 1.0V, V
O
= 1.35V和R
典型值
（注5 ）
1
1
30
0.5
85
85
85
-0.3
2.0
90
140
30
50
70
68
75
70
73
70
-0.2
1.9
90
85
90
100
95
85
80
95
90
90
85
LMV821/822/824
极限
（注6 ）
3.5
4
L
＆ GT ;
1 M.
单位
mV
最大
μV/°C
nA
最大
nA
最大
dB
民
dB
民
dB
民
V
最大
V
民
dB
民
dB
民
dB
民
dB
民
条件
-1.0V
≤
V
-
≤
-3.3V, V
+
=1.7V,
V
O
= 0V, V
CM
= 0V
对于CMRR
≥
50dB
A
V
大信号电压增益
采购，R
L
= 600Ω至1.35V ，
V
O
= 1.35V至2.2V
下沉，R
L
= 600Ω至1.35V ，
V
O
= 1.35V至0.5V
采购，R
L
= 2kΩ的到1.35V ，
V
O
= 1.35V至2.2V
下沉，R
L
= 2kΩ的1.35 ，
V
O
= 1.35 0.5V
100
3
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