K6R4004C1D
文档标题
1Mx4位高速静态RAM （ 5.0V工作） 。
工作在商用和工业温度范围。
初步
CMOS SRAM
修订历史
REV号
修订版0.0
修订版0.1
历史
最初的版本有初步。
更改IC卡。 ISB和ISB1
项
I
CC （商业）
10ns
12ns
15ns
10ns
12ns
15ns
前
90mA
80mA
70mA
115mA
100mA
85mA
30mA
10mA
当前
65mA
55mA
45mA
85mA
75mA
65mA
20mA
5mA
数据稿
九月。 7. 2001年
3. 2001年11月
备注
初步
初步
I
CC （工业）
I
SB
I
SB1
修订版0.2
1.正确的交流参数：读&写周期毫安
2.删除低版本。
3.删除数据保持特性
1.删除15ns的速度斌。
2.切换电流Icc工业模式。
项
10ns
I
CC （工业）
12ns
3. 2001年11月
初步
修订版0.3
月， 2001年18
前
85mA
75mA
当前
75mA
65mA
初步
1.0版
1.最终数据发布。
2.删除速度为12ns仓。
3.删除UB ， LB releated的交流特性和时序图。
4.正确的读周期时间波形（ 2 ） 。
2002年7月， 09 ，
最终科幻
所附的数据表准备并批准三星电子。 SAMSUNG ELECTRONICS CO 。 ， LTD 。保留随时更改的权利
规格。三星电子将评估并在该设备的参数回复您的要求和问题。如果您有任何ques-
系统蒸发散，请联系三星分支机构靠近你的办公室，电话或联系总部。
-1-
1.0版
2002年7月
