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K6R4004V1D
文档标题
1Mx4位高速静态RAM （ 3.3V工作） 。
工作在商用和工业温度范围。
初步
CMOS SRAM
修订历史
REV号
修订版0.0
修订版0.1
1.0版
历史
最初的版本有初步。
添加低版本。
改变电流Icc ， ISB和ISB1
项
I
CC （商业）
8ns
10ns
12ns
15ns
8ns
10ns
12ns
15ns
I
SB
I
SB1(L-ver.)
修订版0.3
前
110mA
90mA
80mA
70mA
130mA
115mA
100mA
85mA
30mA
0.5mA
当前
80mA
65mA
55mA
45mA
100mA
85mA
75mA
65mA
20mA
1.2mA
11月23日。 2001年
初步
数据稿
8月20日2001年
九月19， 2001
11月3日2001年
备注
初步
初步
初步
I
CC （工业）
1.正确的交流参数：读&写周期毫安
2.删除低版本。
3.删除数据保持特性
1.0版
1.删除为12ns ， 15ns的速度完事。
2.切换电流Icc工业模式。
项
8ns
I
CC （工业）
10ns
1.添加无铅封装类型。
12月18 。 2001年
前
100mA
85mA
当前
90mA
75mA
七月。 26，2004
最终科幻
修订版2.0
最终科幻
所附的数据表准备并批准三星电子。 SAMSUNG ELECTRONICS CO 。 ， LTD 。保留随时更改的权利
规格。三星电子将评估并在该设备的参数回复您的要求和问题。如果您有任何ques-
系统蒸发散，请联系三星分支机构靠近你的办公室，电话或联系总部。
-1-
修订版2.0
2004年7月
