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PRELIMPreliminaryPPPPPPPPPINARY
K6R4016C1D
写周期时序波形（ 3 ）
（ CS =控制）
t
WC
地址
t
AW
t
CW(3)
CS
t
BW
UB ， LB
t
AS(4)
WE
t
DW
DATA IN
t
DH
t
WP(2)
t
WR(5)
CMOS SRAM
高-Z
t
LZ
t
WHZ(6)
有效数据
高-Z
数据输出
高-Z
High-Z(8)
写周期时序波形（ 4 ）
（ UB ，L B控制）
t
WC
地址
t
AW
t
CW(3)
CS
t
BW
UB ， LB
t
AS(4)
WE
t
DW
DATA IN
t
DH
t
WP(2)
t
WR(5)
高-Z
有效数据
t
BLZ
t
WHZ(6)
数据输出
高-Z
High-Z(8)
注（ WRITE
循环）
1.所有的写入周期的定时从最后一个有效地址到第一过渡地址引用。
2.低CS ， WE ， LB和UB重叠期间，写操作。写在开始的最新过渡CS变低和WE
变低;在最早转型写结束CS变高或我们要高。吨
WP
从写开始时所测
到写的末尾。
3. t
CW
从CS的购买要低写入的结束测量。
4. t
AS
从地址有效到写的开始测量的。
5. t
WR
从写入地址变更的端部测量的。吨
WR
在适用的情况下写一个结尾为CS或者我们要高。
6.如果OE ， CS和我们在阅读模式，在此期间，该I / O引脚输出低电平-Z状态。相反相位的输入
输出不绝。应用，因为总线争用可能发生。
7.对于通用I / O的应用，尽量减少或消除了总线争用条件是必须在读写周期。
8.如果同时CS变低，与我们是否还是我们变低后，输出保持高阻态。
9. Dout为新地址的读数据。
10.当CS为低电平： I / O引脚的输出状态。在相反的相位与输入信号通往输出不应该
应用。
-9-
修订版2.0
2003年6月
