LT1738
应用S我FOR ATIO
来自交流点最差组分是栅极电荷
电流。实际的峰值电流取决于栅电容
tance和压摆率，成为更高更大的每个值。
的总电流可通过栅极电荷进行估计和
频率操作。因为与此回转的
部的栅极电荷被分散在一个更长的时间段
比具有正常的FET驱动器。这降低了电容
要求。
通常情况下，电流会在100mA电流尖峰
位于栅电压的转换。这是充电/
放电，并从阈值电压。大多数回转
发生与栅电压的阈值附近。
由于该部分的V
IN
通常将15V许多下
选项可供选择电容。值
输入电容的只是V
IN
要求将典型地
在50μF范围为0.1Ω下的ESR 。
除部分的供给，解耦供给的
到电感器需要考虑。如果这是在同一
电源为V
IN
销则该电容器将需要
增加。然而，经常与这部分的电感器
供应将是一个更高的电压，因此将使用一个
独立的电容。
电感的去耦电容可以看到开关
电流纹波。
上述开关电流的计算可以用来
估计这些电容的容量。
C
IN
=
1
V
帽
ESR
I
SW （最大）
DC
民
f
哪里
V
帽
是在输入电容器的允许下垂。
ESR是等效串联电阻的上限。在
一般允许下垂将是一个伏零点几。
输出滤波电容
输出电容被选择既用于容量和ESR 。
的能力，必须提供负载电流中的开关
状态。而摆率控制降低了频率更高的COM
波纹电流在电容器ponents ，电容器
ESR和输出纹波电流的大小
控制的基本组成部分。的ESR也应
U
低，以减少电容损耗。通常情况下应该ESR
低于0.05Ω 。
该电容值可通过考虑计算
的所需的负载波动，占空比和ESR 。
C
OUT
=
1
V
OUT
ESR
I
L（ MAX）的
DC
民
f
W
U
U
MOSFET选择
有各种各样的MOSFET ，从这个选择
的一部分。该部分将与任何正常工作阈值（ 3V至
4V）或逻辑电平阈值器件（ 1V至2V） 。
选择一个额定电压下，以保证最坏情况条件
系统蒸发散的MOSFET不会分解。接下来，选择一个
R
ON
足够低，以满足电力消耗
在MOSFET封装的功能，以及总体
变换器的效率的需要。
的LT1738可以处理大范围的栅极电荷。
然而，在非常大的电荷稳定性可能会受到影响。
在MOSFET的功耗取决于几个
因素。主要元素是我
2
加热时
设备上。此外，功率耗散时
设备回转。对于功耗的估计是：
2
2
+
I
I
4
+
P
=
V
IN
I
SR
f
+
I
2
R
ON
= DC
2
2
2
2
3
I
V
IN
R
ON
I
+
4
I
½
V
SR
其中I为平均电流，
I
是脉动电流，在
开关，我
SR
是当前摆率，V
SR
是电压转换
率， f是振荡器频率，直流为占空比和
R
ON
是导通电阻的MOSFET 。
保利协鑫设定电压
设定的电压上的GCL销取决于什么类型
MOSFET的使用和所需的栅极驱动欠压
年龄锁定电压。
1738fa
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