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K4S640832C
DC特性
（推荐的工作条件，除非另有说明，T
A
= 0 70℃ ）
参数
符号
测试条件
突发长度= 1
t
RC
≥
t
RC
（分钟）
I
OL
= 0毫安
CKE
≤
V
IL
（最大值），叔
CC
= 15ns的
CAS
潜伏期
CMOS SDRAM
VERSION
-70
75
-80
75
-1H -1L
70
1
1
12
70
-10
65
单位
记
工作电流
（一银行活动）
预充电待机电流在
掉电模式
I
CC1
I
CC2
P
mA
1
I
CC2
PS CKE & CLK
≤
V
IL
（最大值），叔
CC
=
∞
I
CC2
N
CKE
≥
V
IH
（分钟） ， CS
≥
V
IH
（分钟） ，T
CC
= 15ns的
输入信号时为30ns一次改变
mA
预充电待机电流在
非掉电模式
CKE
≥
V
IH
（分钟） ， CLK
≤
V
IL
（最大值），叔
CC
=
∞
I
CC2
NS
输入信号是稳定的
I
CC3
P
CKE
≤
V
IL
（最大值），叔
CC
= 15ns的
mA
6
2
2
20
10
3
2
110
75
95
75
125
C
L
1
450
75
75
75
70
75
mA
70
110
mA
mA
uA
2
3
4
1
mA
mA
在活动待机电流
掉电模式
在活动待机电流
非掉电模式
（一银行活动）
I
CC3
PS CKE & CLK
≤
V
IL
（最大值），叔
CC
=
∞
I
CC3
N
I
CC3
NS
CKE
≥
V
IH
（分钟） ， CS
≥
V
IH
（分钟） ，T
CC
= 15ns的
输入信号时为30ns一次改变
CKE
≥
V
IH
（分钟） ， CLK
≤
V
IL
（最大值），叔
CC
=
∞
输入信号是稳定的
I
OL
= 0毫安
第一阵
2Banks激活
t
CCD
= 2CLKs
t
RC
≥
t
RC
（分钟）
CKE
≤
0.2V
mA
工作电流
（突发模式）
刷新当前
自刷新电流
I
CC4
I
CC5
I
CC6
注意事项：
1.测量与产出开放。
2.刷新周期是64毫秒。
3. K4S640832C -TC **
4. K4S640832C -TL **
Rev.0.1 1999年10月
