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128MB DDR SDRAM
11.2半强度司机
1.对于DDR SDRAM器件的额定下拉VI曲线将图一的VI曲线的内部边界线内。
2.充满变化的驱动程序的下拉电流从最小到最大的过程中，温度和电压将处于外内
边界线图一的V-I曲线。
90
80
70
60
最大
IOUT （MA ）
典型的高
典型的低
最低
40
30
20
10
IOUT （MA ）
0
0.0
1.0
2.0
50
Vout的（V）的
3. Thenominal拉VI曲线DDR SDRAM器件将是下图b中的VI曲线的内部边界线内。
4.在从最小到最大的过程中，温度和电压驱动器的上拉电流的全部变化将处于外内
边界Figrue b的V-I曲线的线。
0.0
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
-10
-20
IOUT （MA ）
-30
-40
-50
-60
Minumum
典型的低
典型的高
-70
-80
-90
最大
Vout的（V）的
5.在最大最小上拉和下拉电流的比值的全部变化不会超过1.7 ，对于装置的漏 - 源
从0到VDDQ / 2电压
6.在标称上拉的比率中的全部变化到下拉电流应该为1 ±10％ ，对于器件的漏 - 源电压
从0到VDDQ / 2
图26的I / V特性为输入/输出缓冲器：上拉（上图）和下拉（下）
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REV 。 1.0月。 2. 2000
