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128MB DDR SDRAM
修订历史（续）
版本0.7 （ 2000年3月）
- 改变了128Mb的规格从目标到初步的版本。
- 改变partnames如下。
从
KM44L32031BT-G(L)Z/Y/0
KM48L16031BT-G(L)Z/Y/0
KM416L8031BT-G(L)Z/Y/0
- 改变输入电容。规格。
从
CK / CK
DQ / DQS / DM
命令/地址
2.5pF的的3.5pF
4.0pF 5.5pF
2.5pF的的3.5pF
to
2.0pF 3.0pF W /三角洲Cin的电容是0.25 pF =
4.0pF 5.0pF W / Cin的德尔塔值为0.5pF =
2.0pF 3.0pF与达美Cin的=在0.5pF
to
K4H280438B-TC(L)A2/B0/A0
K4H280838B-TC(L)A2/B0/A0
K4H281638B-TC(L)A2/B0/A0
- 改变运行状态。
从
VIL / VIH （ AC ）
V
IL
/V
IH
（DC）的
VREF +/- 0.35V
VREF +/- 0.18V
to
VREF +/- 0.31V
VREF +/- 0.15V
- 增加了过冲/下冲规范
。 VIH （最大值） = 4.2V时，过冲电压的持续时间是
≤
为3ns在VDD 。
。 VIL（分） = - 1.5V ，过冲电压持续时间
≤
为3ns的VSS 。
- 改变AC参数如下。
从
TDQSQ
TDV
tQH
THP
- 增加了直流规范值。
+/- 0.5 （ PC266 ） ， ±0.6 （ PC200 ）
+/- 0.35tCK
-
-
to
+0.5 （ PC266 ） ， 0.6 （ PC200 ）
-
tHPmin - 0.75ns （ PC266 ）
tHPmin - 1.0ns （ PC200 ）
tCLmin或tCHmin
新定义
删除
新定义
评论
版本0.71 （ 2000年4月）
- 修正了一个错字的tRAS的在133Mhz的/ CL2.5从48ns T0为45nS 。
- 修正了在"General Information"表中的错字从64Mx4到8Mx16 。
版本0.72 （ 2000年5月）
-
改变DC规格产品&试验条件
版本0.73 （ 2000年6月）
-
添加更新的直流规范值
-
在AC参数删除tDAL
1.0版（ 2000年11月）
-
消除"preliminary"
- 3 -
REV 。 1.0月。 2. 2000
