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LTC4252-1/LTC4252-2
该
q
表示该应用在整个工作的特定连接的阳离子
温度范围，否则仅指在T
A
= 25°C 。 （注2 ）
符号
I
门
参数
GATE引脚输出电流
条件
UV = OV = 4V ，V
SENSE
= V
EE
,
V
门
= 0V （采购）
UV = OV = 4V ，V
SENSE
– V
EE
= 0.15V,
V
门
= 3V （沉没）
UV = OV = 4V ，V
SENSE
– V
EE
= 0.3V,
V
门
= 1V （沉没）
V
门
V
GATEH
V
GATEL
V
UVHI
V
UVLO
V
UVHST
V
OVHI
V
OVLO
V
OVHST
I
SENSE
I
INP
V
TMRH
V
TMRL
I
TMR
外部MOSFET栅极驱动器
门高门槛
门低阈值
UV引脚门槛高
UV引脚门槛低
UV引脚迟滞
OV引脚门槛高
OV引脚门槛低
OV引脚迟滞
SENSE引脚输入电流
UV和OV引脚输入电流
TIMER引脚电压高门槛
TIMER引脚电压低阈值
TIMER引脚电流
定时开（初始周期/闭锁/
停机冷却，采购） ，V
TMR
= 2V
定时关机（初始周期，下沉） ，V
TMR
= 2V
定时开（断路器，采购，
I
DRN
= 0μA ） ，V
TMR
= 2V
定时开（断路器，采购，
I
DRN
= 50μA ） ，V
TMR
= 2V
定时关机（断路器/
停机冷却，下沉） ，V
TMR
= 2V
I
TMRACC
[(I
TMR
在我
DRN
= 50μA ） - （我
TMR
在我
DRN
= 0A)]
I
DRN
50A
V
DRnL
I
DRnL
V
DRNCL
V
PGL
I
PGH
t
SS
t
PLLUG
t
PHLOG
漏极引脚电压低阈值
漏极漏电流
漏极引脚钳位电压
PWRGD输出低电压
PWRGD上拉电流
SS默认斜坡期
UV低到低栅
OV高到低栅
定时开（断路器与我
DRN
= 50A)
对于PWRGD状态（仅MS ）
V
漏
= 5V
I
DRN
= 50A
I
PG
= 1.6毫安（ MS专用）
I
PG
= 5毫安（ MS专用）
V
PWRGD
= 0V （采购） （ MS专用）
SS引脚悬空，V
SS
RAMPS从0.2V至2V
q
q
q
q
q
q
电气特性
民
40
典型值
58
17
190
最大
80
单位
A
mA
mA
V
门
– V
EE
, I
IN
= 2毫安
V
GATEH
= V
IN
– V
门
, I
IN
= 2毫安，
对于PWRGD状态（仅MS ）
（前栅极斜坡上）
q
10
12
2.8
0.5
V
Z
V
V
V
q
q
3.075
2.775
5.85
5.25
–30
3.225
2.925
0.3
6.15
5.55
0.6
–15
±0.1
4
1
5.8
28
230
630
5.8
8
2.385
±0.1
7
0.2
3.375
3.075
6.45
5.85
V
V
V
V
V
V
A
UV = OV = 4V ，V
SENSE
= 50mV的
UV = OV = 4V
q
q
±10
A
V
V
A
mA
A
A
A
A/A
V
±1
0.4
1.1
80
A
V
V
V
A
s
s
s
40
58
180
0.4
0.4
注1 ：
绝对最大额定值是那些价值超过其使用寿命
的装置的可能损害。
注2 ：
所有电流为器件引脚为正;所有电流输出装置的
引脚是负的。所有电压都参考V
EE
除非另有
指定的。
425212f
3
