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LTC4252-1/LTC4252-2
应用S我FOR ATIO
定时器开始充电
T
（痕量4 ），而模拟
电流限制环路保持故障电流时为100mV / R
S
,
在这种情况下为5A （痕量2）。注意，该背板
根据负载电压（跟踪1 ）下垂。定时拉是加速
用V erated
OUT
。当C
T
达到4V ，门关闭，
PWRGD被拉至高电平时，负载电流下降到零，并在
背板戒指最多不超过100V 。正峰值是
通常是由雪崩击穿的限制MOSFET
并且可以通过增加跨越一个齐纳二极管被进一步限定
输入从 - 48V到 - 48RTN ，如二极管公司
SMAT70A.
上一张卡的低阻抗短期可能影响
其他人共享同一个背板的行为。最初的
毛刺和背板凹陷如在图5中迹线1所示，可以
抢电荷在相邻的卡输出电容。
当有故障的卡关闭时，在以电流
刷新电容。如果LTC4252s所使用的其它
卡，它们通过限制浪涌电流，一个响应
为100mV / R值
S
。如果C
T
的尺寸正确，电容器
会前C长时间充电
T
超时。
POWER GOOD ， PWRGD
PWRGD锁存低，如果栅极电荷达内的2.8V
V
IN
极和漏极拉低于V
DRnL
在启动过程中。 PWRGD
被复位UVLO ，在紫外线条件或如果C
T
充至
4V 。过压条件对PWRGD没有影响
状态。一个58μA电流拉该引脚复位时高。应有
到电压电源模块之间的瞬变
PWRGD ，光电隔离建议。该引脚亲
志愿组织sufficent驱动光电耦合器。
MOSFET选择
外部MOSFET开关必须有足够的安全
工作区（SOA ）来处理短路情况
直到定时器超时。这些考虑采取prece-
置信过直流电流额定值。有一个充足的MOSFET
SOA的一个给定的应用程序总是可以处理所要求的
电流，但是相反可能并非如此。咨询
制造商的MOSFET数据表的安全工作区
有效的瞬态热阻抗曲线。
U
MOSFET的选择是通过假设3个步骤
absense软启动电容。首先，R
S
计算并
然后向负载电容充电所需的时间是
确定的。该定时，随着最大短
电路的电流和最大输入电压限定一个
被检查者对MOSFET的SOA工作点
曲线。
要开始设计，第一指定所需的负载电流
和IOAD电容，我
L
和C
L
。断路器
电流跳变点（V
CB
/R
S
）应该被设置为容纳
的最大负载电流。需要注意的是最大输入
给DC / DC变换器的电流，预计在V
供应（ MIN ）
.
R
S
由下式给出：
R
S
=
V
CB（ MIN）的
I
L（ MAX）的
W
U
U
(8)
其中，V
CB（ MIN）的
= 40mV的代表保证迷你
妈妈断路器阈值。
在最初的充电过程中， LTC4252可以
操作MOSFET的电流限制，迫使（V
ACL
） BE-
吐温80mV的来为120mV R两端
S
。最小冲击
电流由下式给出：
I
突（ MIN ）
=
80mV
R
S
(9)
最大短路电流限制的计算公式
最大V
SENSE
。这使
I
短路（MAX）中
=
120mV
R
S
(10)
定时器电容C
T
必须被选择的基础上
预计最慢的充电速度;否则，定时器可能
超时负载电容之前已充满电。值
对于C
T
基于最大时间计算所花费的
负载电容充电。当时由下式给出：
t
CL （ CHARGE ）
=
C V
L
V
供应（最大值）
=
I
I
突（ MIN ）
(11)
425212f
17
