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LTC4252-1/LTC4252-2
应用S我FOR ATIO
流过漏极引脚的最大电流给定
方式：
I
DRN （MAX）中
V
V
=
供应（ MAX） DRNCL
R
D
(12)
近似的线性充电速率为我
DRN
从下降
I
DRN （MAX）中
为零时，我
DRN
组分在等式（3）可以
与0.5 我逼近
DRN （MAX）中
。重新排列方程
化， TIMER电容C
T
由下式给出：
C
T
=
t
CL （ CHARGE ）
(
230
A
+
4 I
DRN （MAX）中
)
4V
(13)
回到式（3 ）中，定时器周期计算
和用于与V一起
供应（最大值）
和
I
短路（MAX）中
检查一个前瞻性的SOA曲线
略去MOSFET。
作为一数字设计例子，考虑一个30W的负载，
这就要求在36V 1A的输入电流。如果V
供应（最大值）
=
72V和C
L
= 100μF ，R
D
= 1MΩ ，式（8 ）给出
S
=
40MΩ ;方程（ 13 ）给出了C语言
T
= 441nF 。考虑到
R中的错误
S
, C
T
，定时器电流（ 230μA ） ，定时器门槛
（ 4V ）中，R
D
，漏极电流倍增极和漏极电压
钳（V
DRNCL
） ，计算出的值应乘以
1.5 ，给予C的最接近标准值
T
= 680nF 。
如果发生短路，最多为120mV的电流/
40MΩ = 3A将流入MOSFET为3.6ms的决定
用C
T
= 680nF在等式（3） 。该MOSFET必须是
选择的依据此标准。该IRF530S可以处理
100V和3A为10ms的并且是安全的在本申请中使用。
计算过程中的最大软启动电容值
软启动负载短路是由非线性复杂
MOSFET的SOA特性和R用
SS
C
SS
反应。
过于保守的，但简单的方法开始
最高断路器的电流，由下式给出：
I
CB（ MAX）的
=
60mV
R
S
18
U
从未来的MOSFET的SOA曲线，确定
在允许的时间t
SOA （MAX）
. C
SS
由下式给出：
t
SOA （MAX）
(15)
0.916 R
SS
在上面的例子中，为60mV / 40MΩ给出1.5A 。吨
SOA （MAX）
对于IRF530S为40ms 。从方程（15） ，
C
SS
= 437nF 。实际电路板的评估表明，
C
SS
= 100nF的是适当的。的比（R
SS
C
SS
）以
t
CL （ CHARGE ）
是一个好的计为大比率可能会导致
超时期限届满。此计被确定
经验与板级评估。
C
SS
=
W
U
U
设计流程的概述
总结了设计流程，可以考虑应用
在图2中示出它被设计为50W 。
计算最大负载电流： 50W / 36V = 1.4A ;
允许83％的转换效率，我
IN （MAX）
= 1.7A.
计算R
S
：从等式（ 8）读
S
= 20m.
我计算
短路（MAX）中
：从等式（9 ）
I
短路（MAX）中
= 6A.
选择一个MOSFET ，可在72V 6A处理： IRF530S 。
计算
T
：从等式（ 13 ）C
T
= 220nF的。选择
C
T
= 330nF ，这使断路器超时PE-
RIOD牛逼
最大
= 1.76ms 。
咨询MOSFET SOA曲线：在IRF530S可以处理6A
在72V为5毫秒，所以它是安全的在本申请中使用。
计算
SS
：使用等式（14）和（15）中选择
C
SS
= 68nF 。
频率补偿
该LTC4252典型的频率补偿网络
模拟电流限制回路是R系列
C
（ 10Ω ）和C
C
连接到V
EE
。图6示出的关系BE-
补间的补偿电容C
C
和MOSFET的
C
国际空间站
。图6中的线被用来选择一个初始值
(14)
425212f
