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128MB DDR SDRAM
8.2交流Timming参数&规格
参数
行周期时间
刷新行周期时间
行活动时间
RAS到CAS延迟
行预充电时间
行有效至行主动延迟
写恢复时间
最后的数据读取命令
上校地址上校地址的延迟
时钟周期时间
时钟高电平宽度
时钟低电平宽度
从CK / CK DQS进出时间
从CK / CK的输出数据的访问时间
数据选通边缘到输出的数据边缘
阅读序言
阅读后同步
从CK / CK数据输出高阻抗的时间
CK到有效DQS-中
DQS -的建立时间
DQS -保持时间
DQS -在高电平宽度
DQS -在低电平宽度
DQS -循环时间
地址和控制输入建立时间
地址和控制输入保持时间
模式寄存器设置循环时间
DQ & DM设置时间DQS
DQ & DM保持时间DQS
DQ & DM输入脉冲宽度
掉电退出时间
退出自刷新写命令
CL=2.0
CL=2.5
总胆固醇
TCL
tDQSCK
TAC
TDQSQ
tRPRE
tRPST
tHZQ
tDQSS
tWPRES
tWPREH
tDQSH
tDQSL
TDSC
TIS
TIH
超过tMRD
TDS
TDH
tDIPW
tPDEX
TXSW
0.45
0.45
-0.75
-0.75
-
0.9
0.4
-0.75
0.75
0
0.25
0.4
0.4
0.9
0.9
0.9
15
0.5
0.5
1.75
10
95
0.6
0.6
1.1
符号
TRC
tRFC
tRAS的
tRCD的
激进党
TRRD
tWR的
tCDLR
TCCD
TCK
K4H281638B
-TCA2 （ DDR266A ）
民
65
75
45
20
20
15
2
1
1
7.5
15
15
0.55
0.55
+0.75
+0.75
+0.5
1.1
0.6
+0.75
1.25
120K
最大
K4H281638B
-TCB0 （ DDR266B ）
民
65
75
45
20
20
15
2
1
1
10
7.5
0.45
0.45
-0.75
-0.75
-
0.9
0.4
-0.75
0.75
0
0.25
0.4
0.4
0.9
0.9
0.9
15
0.5
0.5
1.75
10
0.6
0.6
1.1
15
15
0.55
0.55
+0.75
+0.75
+0.5
1.1
0.6
+0.75
1.25
0.45
0.45
-0.8
-0.8
-
0.9
0.4
-0.8
0.75
0
0.25
0.4
0.4
0.9
1.1
1.1
16
0.6
0.6
2
10
116
0.6
0.6
1.1
120K
最大
K4H281638B
-TCA0 （ DDR200 ）
民
70
80
48
20
20
15
2
1
1
10
15
15
0.55
0.55
+0.8
+0.8
+0.6
1.1
0.6
+0.8
1.25
120K
最大
ns
ns
ns
ns
ns
ns
TCK
TCK
TCK
ns
ns
TCK
TCK
ns
ns
ns
TCK
TCK
ns
TCK
ns
TCK
TCK
TCK
TCK
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
3
2
单位注
- 44 -
REV 。 1.0月。 2. 2000
