位置：首页 > IC型号导航 > 首字符M型号页 > 首字符M的型号第1389页 > M28R400C-ZBT > M28R400C-ZBT PDF资料 > M28R400C-ZBT PDF资料2第8页
M28R400CT ， M28R400CB
信号说明
参见图2逻辑图和表1 ，信号
名，对于信号的简要概述连接 -
编此设备。
地址输入（ A0 - A17 ） 。
地址输入
选择的细胞中的存储器阵列中访问能很好地协同
ING总线读操作。在总线写操作
系统蒸发散它们控制发送到该命令
内部状态机的命令接口。
数据输入/输出（ DQ0 - DQ15 ） 。
数据I / O
输出存储在选定的地址中的数据
在一个总线读操作或输入命令
或将数据写总线中进行编程
操作。
芯片启用（ E） 。
该芯片使能输入爱科特
vates存储器控制逻辑，输入缓冲器，去
编码器和读出放大器。当芯片使能是
在V
IL
和Reset为V
IH
该装置是在有源
模式。当芯片使能为V
IH
该存储器是
取消选择，输出为高阻态，
的功率消耗降低到待机
的水平。
输出使能（ G） 。
输出使能控制
的总线读操作过程中的数据输出
内存。
写使能（ W） 。
写使能控制
内存的命令总线写操作
界面。数据和地址输入锁存
片上的上升沿启动， E，或写恩
能， W，以先到为准。
写保护（ WP ） 。
写保护是输入
这给出了一个附加的硬件保护
每个块。当写保护是V
IL
，在锁相
羽绒被启用和的保护状态
块不能被改变。当写保护是
V
IH
，的锁定被禁用，并且该块
来锁定或解锁。 （参考表6 ，读亲
tection注册与保护寄存器锁定） 。
复位（ RP ） 。
复位输入提供了硬件
洁具重置内存。当Reset为V
IL
,
内存是在复位模式：输出为高
阻抗和电流消耗是微型
而得到优化。复位后所有块处于锁定
状态。当Reset为V
IH
，该装置是在正常
操作。退出复位模式器件进入
读阵列模式，但芯片的负跳变
启用或地址的变化是必需的，以
确保有效的数据输出。
V
DD
电源电压（ 1.65V至2.2V ） 。
V
DD
提供的电源的内部核心
存储装置。它是用于在主电源
所有操作（读取，编程和擦除） 。
V
DDQ
电源电压（ 1.65V至2.2V ） 。
V
DDQ
提供了电源的I / O管脚和烯
ABLES所有输出进行独立供电
从V
DD
. V
DDQ
可以连接到V
DD
或者可以用一个
单独的电源。
V
PP
项目电源电压。
V
PP
既是
控制输入端和一个电源端子。两
功能由电压范围AP-选
合股到销。电源电压V
DD
和
程序电源电压V
PP
可以在施加
任何顺序。
如果V
PP
被保持在低电压范围（0V至3.6V）
V
PP
被看作是一个控制输入端。在这种情况下，电压
比V低年龄
PPLK
提供保护，防止亲
克或块擦除，而V
PP
＆ GT ; V
PP1
使
这些功能（见表14 ， DC特性
的相关值）。 V
PP
仅采样的
开始一个程序或块擦除;改变
在其值在手术后已经开始不
有什么效果和编程或擦除操作
继续。
如果V
PP
的范围是从11.4V到12.6V它作为一个
电源引脚。在这种条件下V
PP
必须是
稳定，直到编程/擦除算法的COM
pleted （见表16和17）。
V
SS
地面上。
V
SS
对于所有电压基准
测量。
注意：在一个系统中的每个设备应具有
V
DD
, V
DDQ
和V
PP
去耦用一个0.1μF的钙
pacitor靠近引脚。参见图7 ， AC测
surement负载电路。 PCB走线宽度
应足以进行所需的V
PP
编程和擦除电流。
8/50
