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M28R400CT ， M28R400CB
图18.块擦除流程图和伪码
开始
erase_command （ blockToErase ） {
writeToFlash （ any_address ， 0x20的） ;
writeToFlash （ blockToErase ， 0xD0 ） ;
/ *只有A12 -A20是significannt * /
/ *内存后进入阅读状态状态
擦除命令* /
写20H
写块
地址& D0H
阅读状态
注册
DO -
status_register = readFlash （ any_address ） ;
/ * E或G必须切换* /
b7 = 1
NO
}而（ status_register.b7 == 0 ） ;
是的
b3 = 0
是的
b4, b5 = 1
NO
b5 = 0
是的
b1 = 0
是的
结束
}
AI03541b
NO
VPP无效
错误（ 1 ）
如果（ status_register.b3 == 1 ） / * VPP无效的错误* /
error_handler （）;
是的
命令
序列错误（ 1 ）
如果（ （ status_register.b4 == 1） && （ status_register.b5 == 1） ）
/ *命令顺序错误* /
error_handler （）;
NO
擦除错误（ 1 ）
如果（ （ status_register.b5 == 1） ）
/ *擦除错误* /
error_handler （）;
NO
擦除受保护
块错误（1）
如果（ status_register.b1 == 1 ） / *程序，以保护块错误* /
error_handler （）;
注意：如果发现错误，状态寄存器必须在进一步的编程/擦除操作被清除。
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