技术参数
可控硅整流器
每个合格的MIL -PRF- 276分之19500
器件
2N2323
2N2323S
2N2323A
2N2323AS
2N2324
2N2324S
2N2324A
2N2324AS
2N2326
2N2326S
2N2326A
2N2326AS
2N2328
2N2328S
2N2328A
2N2328AS
合格
水平
2N2329
2N2329S
JAN
JANTX
JANTXV
最大额定值
评级
符号
2N2323 ，S / 2N2324 ，S / 2N2326 ，S / 2N2328 ，S /
2N2329 ，S股
2N2323A ，S 2N2324A ，S 2N2326A ，S 2N2328A ，S
反向电压
V
RM
50
100
200
300
400
VDC
工作峰值反向电压V
RM
75
150
300
400
500
VPK
(3/4)
(3/4)
(3/4)
(3/4)
(3)
正向阻断电压
V
FBXM
50
100
200
300
400
VPK
(1)
平均正向电流
I
O
0.22
ADC
(2)
正向电流浪涌峰值
I
FSM
15
ADC
阴极电流门
V
魔芋葡甘聚糖
6
VPK
0
工作温度
T
op
-65到+125
C
0
存储结温
T
英镑
-65到+150
C
0
1）该平均正向电流为80℃和180 °电角度的环境温度下
传导。
2 ）浪涌电流非经常性。峰值浪涌电流上升率不得超过40 A时
第5
s
后从“断开” （阻塞）切换到“接通” （导通）状态。这是测量
从其中所述晶闸管电压已经衰减到90％的初始阻塞值的点。
3 ）栅极连接到阴极通过千欧姆的电阻。
4 ）栅极连接到阴极通过2000欧姆的电阻。
TO-5
*请参阅附录A.
对于封装外形
电气特性
特征
符号
分钟。
马克斯。
单位
SUBGROUP 2测试
反向电流阻断
R
2
= 1 k
R
2
= 2 k
V
R
= 50伏直流
V
R
= 100 VDC
V
R
= 200伏
V
R
= 300伏
V
R
= 400 VDC
2N2323 2N2329直通
2N2323S通2N2329S
2N2323A通2N2328A
2N2323AS通2N2328AS
2N2323 ， S，A ， AS
2N2324 ， S，A ， AS
2N2326 ， S，A ， AS
2N2328 ， S，A ， AS
2N2329 ，S
I
RBX1
10
μAdc
6湖街，劳伦斯，MA 01841
1-800-446-1158 / （ 978 ） 794-1666 /传真： （ 978 ） 689-0803
120101
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