三菱微型计算机
M16C / 62群
说明（闪存版）
单芯片16位CMOS微机
FL灰内存
在M16C / 62 （闪存版）包含DINOR （分位线NOR ）型快闪存储器的
可与5 V或3.3 V的单电压对于这种闪存重写，三闪存模式
其中可供读取，编程和擦除：并行I / O和标准串行I / O模式中闪光
内存可以用编程器和CPU改写模式进行操作，其中闪存即可
由中央处理单元（CPU ）来操作。每个模式中详细介绍了对后续页面。
闪速存储器被划分成若干块，如图1.28.1 ，使存储器可擦除
一个块的时间。每块具有一个锁位，以使能或禁止执行一个擦除或编程的
操作时，允许在每块数据得到保护。
除了普通用户ROM区存储一个微机操作控制程序，闪光灯
存储器具有用于存储一程序，以控制在CPU改写重写引导ROM区域和
标准串行I / O模式。此引导ROM区已存储标准的串行I / O模式控制方案
在它当从工厂发货。然而，用户可以写在这方面的一个重写控制程序
适合用户的应用系统。该引导ROM区可以被重写在仅并行I / O模式。
0C0000
16
6座： 64K字节
0D0000
16
5座： 64K字节
0E0000
16
4座： 64K字节
注1：在引导ROM区域可以被重写
仅并行输入/输出模式。 （访问
到任何其他区域被抑制）。
注2 ：要指定一个块，使用最大
在是偶数的块地址
地址。
0F0000
16
Flash存储器Flash存储器
起始地址
SIZE
256千字节
0C0000
16
0F8000
16
0FA000
16
0FC000
16
0FFFFF
16
3座： 32K字节
2座： 8K字节
1座： 8K字节
块0 ： 16K字节
用户ROM区
0FE000
16
0FFFFF
16
8K字节
引导ROM区
图1.28.1 。闪存版的方框图
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