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三菱微型计算机
M16C / 62群（ 80针）
CPU改写模式
单芯片16位CMOS微机
程序ROM
开始
程序RAM
*1
单芯片模式，或引导模式
（引导模式）
设置用户ROM区选择位为“ 1 ”
设置处理器模式寄存器（注1 ）
设置CPU改写模式选择位为“ 1”（
写“ 0 ”，然后“ 1 ”在继承） （注2 ）
转移CPU改写模式控制
程序到内部RAM
使用软件命令执行擦除，
程序，或其它操作
（根据需要设置锁定位禁止位）
跳转到RAM中传送的控制程序
（随后的操作是通过控制执行
计划在这个RAM）
执行读阵列命令或复位闪光
内存设置闪存复位位（由
写“ 1 ”，然后“ 0”在继承） （注3 ）
*1
写“0”到CPU改写模式选择位
（引导模式）
写“0”到用户ROM区选择位（注4 ）
结束
注1 ：在CPU改写模式，设置主时钟频率，如下图所示，使用主时钟分频比
选择位（第6位地址0006
16
和6,7位地址0007
16
):
6.25 MHz或更小的时候等待位（第7位地址0005
16
） =“0” （不带内部访问等待状态）
12.5 MHz或更小的时候等待位（第7位地址0005
16
）=“ 1 ”（与内部访问等待状态）
注2：对于CPU改写模式选择位被置为“ 1”时，用户需要在写入“0 ”，然后“1” ，以它
继承。当它不是这样的程序，它没有颁布于“1”。这是必要的，以确保没有
中断或DMA传输将在时间间隔内被执行。
注3 ：在退出CPU改写模式完成擦除或编程操作后，请务必到
执行一个读阵列命令或复位闪存。
注4 ：“1”可以被设置。但是，当该位为“ 1”时，用户ROM区域进行访问。
图1.22.2 。 CPU改写模式置位/复位流程图
程序ROM
开始
程序RAM
*1
传送程序在被执行
低速模式时，内部RAM 。
设置闪存电源-OFF位为“ 1 ”
（通过写“0 ”，然后“ 1 ”在继承） （注1 ）
跳转到RAM中传送的控制程序
（随后的操作是通过控制执行
计划在这个RAM）
切换BCLK的计数源。
X
IN
停止。 （注2 ）
*1
低速模式进程
X
IN
摆动的
等到了X
IN
已经稳定
切换BCLK的计数源（注2 ）
设置闪存电源-OFF位为“ 0 ”
等待时间直到内部电路稳定
（集NOP指令的两倍左右）
结束
注1：对于闪速存储器供电，断开位被置为“ 1”时，用户需要在写入“0 ”，然后“1” ，以它
继承。当它不是这样的程序，它没有颁布于“1”。这是必要的，以确保没有
中断或DMA传输将在时间间隔内被执行。
注2 ：之前的计数源BCLK可以从X变更
IN
TO X
CIN
或者反之亦然，时钟向其中
计数源将要被切换，必须稳定振荡。
图1.22.3 。转移到低速模式的流程图
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