ISL6115 ， ISL6116 ， ISL6117 ， ISL6120
ISL6115EVAL1局
该ISL6115EVAL1被配置为+ 12V的高侧开关
控制器与CR级别设置为1.5A 。 （参见图21
ISL6115EVAL1原理图和表4的BOM ）和偏置
负载连接点，沿与测试点，用于提供
每个IC引脚。
与芯片被从+ 12V电源总线的存在偏置
切换时，通过B 2， GND B5，连接在所述负载
B3和B4 ，并用跨接器J1的安装ISL6115可以
评估。 PWRON管脚拉高使ISL6115如果不是
驱动为低电平。
与R 2 = 750Ω在CR Vth设定到15mV的，并与
为10mΩ检测电阻上的ISL6115EVAL1的标称CR
1.5A的水平。在0.047μF延迟时间锁存关断电容
结果在标称4.4ms之前后一个闭锁的输出
OC事件。
还包括与所述ISL6115EVAL1板是各一个
的ISL6116 ， ISL6117和ISL6120进行评价。
偏置和负载的连接点，除了提供
测试点， TP1-8每个IC引脚。端子， J1和J4
是用于总线电压并返回，分别与所述
连接到J4更负电位的存在。与负载
终端J2和J3之间的板现在CON连接gured的
评价。该设备是通过登录使能， TP9同
TTL信号。 ISL6116EVAL1包括一个电平移位电路
用光电耦合器为PWRON输入以便
标准TTL逻辑可以被转换到为-V参考
芯片控制。
当控制一个正电压， PWRON可
在TP8访问。
该ISL6116EVAL1设有高电压线性
调节器为方便起见，以提供从芯片偏压
±24V
to
±350V.
这可以被删除，与齐纳&取代
早期的电阻偏置方案的讨论。高压
稳压器和功率分立器件不再
可从Intersil的，但可以从其他可购买的
半导体制造商。
重新配置ISL6116EVAL1板有较高的CR
水平可以通过改变R进行
SENSE
和R
ISET
电阻值所提供的FET为75A额定。如果
评价在>60V ，备用FET必须选择
充足的BV
DSS
.
ISL6116EVAL1局
该ISL6116EVAL1被默认配置为负
用 2.4A CR级电压低侧开关控制器。
（参见图22 ISL6116EVAL1原理图和表4
BOM和成分说明）。这个基本配置
能够控制两个较大的正的或负的
潜在的电压最小变化。
HI J2
负载
C1
J3 LO
Q2
R1
R2
J4
-Vbus
+
B3
负载
B4
-
J1
+ Vbus用
R7
1
4
3
2
R2
1
R1
2
3
Q1
R3
C1
JP1
V + B2
+12V
V
BIAS
B1
4
ISL6115
U1
8
7
6
5
D1
R4
C2
PWRON
R5
DD1
3.3V
D2
C3
ISL6116
U1
5
6
7
8
PWRON
TP8
C3
R
G
1
R6
注册
TP9
R8
R10
B5
R11
D2
DD1
3.3V
R5
R9
关闭
0-5V
OT1
ON
图21. ISL6115EVAL1高压侧开关应用
图22. ISL6116EVAL1负电压LOW SIDE
调节器
10
