M36W432TG
M36W432BG
32兆位（2MB X16 ，引导块）快闪记忆体
和4兆位（ 256Kb的X16 ） SRAM ，多重内存产品
初步数据
功能摘要
s
多种存储产品
- 32兆位（2MB ×16 ） ，引导块，闪存
- 4兆位（ 256Kb的×16 ） SRAM存储器
s
电源电压
– V
DDF
= 2.7V至3.3V
– V
DDS
= V
DDQF
= 2.7V至3.3V
– V
PPF
= 12V快速程序（可选）
s
s
s
SRAM
s
4兆位（ 256Kb的×16 ）
s
s
s
访问时间： 70ns的
低V
DDS
数据保存： 1.5V
POWER DOWN采用2个
芯片使能输入
存取时间：为70ns ， 85ns
低功耗
电子签名
- 制造商代码： 20H
- 顶级设备代码， M36W432TG ： 88BAh
- 底设备代码， M36W432BG ： 88BBh
图1.包装
FBGA
FL灰内存
s
内存块
- 参数块（顶部或底部的位置）
- 主块
s
叠LFBGA66 （ ZA ）
12毫米x 8毫米
编程时间
- 典型为10μs
- 双字编程选项
- 四人间词编程选项
s
块锁定
- 所有块锁定在上电
- 模块的任意组合可以被锁定
- WP
F
座向下锁定
s
s
s
自动待机模式
编程和擦除挂起
每10万编程/擦除周期
块
通用闪存接口
安全
- 128位用户可编程OTP细胞
?? 64位唯一设备标识符
s
s
2002年11月
这是对正在开发或正在接受评估新产品的初步信息。详细信息如有变更，恕不另行通知。
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