LM4892
绝对最大额定值
（注2 ）
θ
JC
（ MSOP ）
θ
JA
（ MSOP ）
θ
JA
（ LLP ）
焊接信息
见AN- 1112 “的microSMD晶圆级芯片尺寸
套餐“ 。
见AN- 1187 “无铅引线框架封装（ LLP ） ” 。
56C/W
190C/W
220℃ / W （注9 ）
如果是用于军事/航空航天特定网络版设备是必需的，
请向美国国家半导体销售办事处/
经销商咨询具体可用性和规格。
电源电压
储存温度
输入电压
功率耗散（注3 ）
ESD易感性（注4 ）
ESD易感性（注5 ）
结温
热阻
θ
JC
（ SOP ）
θ
JA
（ SOP ）
θ
JA
（微型SMD ）
35C/W
150C/W
220C/W
6.0V
-65 ° C至+ 150°C
-0.3V到V
DD
+0.3V
内部限制
2500V
250V
150C
工作额定值
温度范围
T
民
≤
T
A
≤
T
最大
电源电压
40C
≤
T
A
≤
85C
2.2V
≤
V
DD
≤
5.5V
电气特性V
DD
= 5V
以下规格适用于V
DD
（注1,2 ）
= 5V ，A
V
= 2，和8Ω的负载，除非另有规定。限制适用对于T
A
= 25C.
LM4892
单位
（限量）
毫安（最大）
毫安（最大）
μA（最大值）
1
90
4
0.8
P
o
= 0.4 W
RMS
; F = 1kHz时为10Hz
≤
BW
≤
80kHz
V
纹波
= 200mV的正弦P-P
0.1
62 (f =
217Hz时）， 66 （F
= 1kHz时）
W
mW
V（分钟）
V（最大值）
%
符号
参数
条件
V
IN
= 0V时，我
o
= 0A ，惠普感= 0V
V
IN
= 0V时，我
o
= 0A ，惠普感= 5V
Vshutdown = GND （注8 ）
THD = 2 ％ （最大值） ， F = 1kHz时，
R
L
= 8Ω ，惠普感
＆ LT ;
0.8V
THD = 1 ％ （最大值） ， F = 1kHz时，
R
L
= 32Ω ，惠普感
＆ GT ;
4V
0.1
典型
（注6 ）
4
2.5
极限
（注7 ）
10
I
DD
I
SD
静态电源电流
关断电流
P
o
输出功率
V
IH
V
IL
THD + N
PSSR
惠普感高输入电压
惠普感低输入电压
总谐波失真+噪声
电源抑制比
dB
电气特性V
DD
= 3.3V
以下规格适用于V
DD
（注1,2 ）
= 3.3V ，A
V
= 2，和8Ω的负载，除非另有规定。限制适用对于T
A
= 25C.
LM4892
单位
（限量）
毫安（最大）
毫安（最大）
μA（最大值）
W
mW
2.6
0.8
P
o
= 0.15 W
RMS
; F = 1kHz时为10Hz
≤
BW
≤
80kHz
3
符号
参数
条件
V
IN
= 0V时，我
o
= 0A ，惠普感= 0V
V
IN
= 0V时，我
o
= 0A ，惠普感= 3.3V
Vshutdown = GND （注8 ）
THD = 1 ％ （最大值） ， F = 1kHz时，
R
L
= 8Ω ，惠普感
＆ LT ;
0.8V
THD = 1 ％ （最大值） ， F = 1kHz时，
R
L
= 32Ω ，惠普感
＆ GT ;
3V
典型
（注6 ）
3.5
2.0
0.1
0.4
35
极限
（注7 ）
I
DD
I
SD
静态电源电流
关断电流
P
o
输出功率
V
IH
V
IL
THD + N
惠普感高输入电压
惠普感低输入电压
总谐波失真+噪声
0.1
V（分钟）
V（最大值）
%
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