M48Z35
M48Z35Y
256千位（32KB ×8 ） ZEROPOWER
SRAM
s
集成超低功耗SRAM ，
电源失效控制电路和
电池
读周期时间等于写周期
时间
自动电源失效芯片DESELECT
和写保护
写保护电压不
(V
PFD
=电源故障取消电压） ：
- M48Z35 ： 4.50V
≤
V
PFD
≤
4.75V
- M48Z35Y ： 4.20V
≤
V
PFD
≤
4.50V
在CAPHAT独立电池
DIP封装
包装包括一个28引脚SOIC和
SNAPHAT
TOP （单独订购）
SOIC封装提供直接
连接对于一个SNAPHAT TOP其中
包含电池和晶体
引脚和功能兼容
JEDEC标准32K ×8的SRAM
SNAPHAT （ SH ）
电池
s
s
s
28
28
1
1
PCDIP28 （PC）的
电池CAPHAT
s
SOH28 （ MH ）
s
图1.逻辑图
s
s
VCC
描述
该M48Z35 / 35Y ZEROPOWER
RAM是32
千位×8非易失性静态RAM ，集成
电源故障取消电路和电池控制
逻辑在一个芯片上。单片芯片可用
能够在两个特殊的软件包，提供一个高度IN-
tegrated电池备份的存储器解决方案。
15
A0-A14
8
DQ0-DQ7
W
E
M48Z35
M48Z35Y
表1.信号名称
A0-A14
DQ0-DQ7
E
G
W
V
CC
V
SS
地址输入
数据输入/输出
芯片使能
OUTPUT ENABLE
写使能
电源电压
地
G
VSS
AI01616D
1999年8月
1/18
