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M48Z35AY ， M48Z35AV
表3.操作模式
(1)
模式
DESELECT
写
读
读
DESELECT
DESELECT
V
SO
到V
PFD
（分钟）
(2)
≤
V
SO
4.5V至5.5V
or
3.0V至3.6V
V
CC
E
V
IH
V
IL
V
IL
V
IL
X
X
G
X
X
V
IL
V
IH
X
X
W
X
V
IL
V
IH
V
IH
X
X
DQ0-DQ7
高Z
D
IN
D
OUT
高Z
高Z
高Z
动力
待机
活跃
活跃
活跃
CMOS待机
电池备份模式
注：1，X = V
IH
或V
IL
; V
SO
=电池备份切换电压。
2.请参阅表7的详细信息。
图3.框图
A0-A14
锂
CELL
电压检测
和
开关
电路
动力
32K ×8
SRAM阵列
DQ0-DQ7
VPFD
E
W
G
VCC
VSS
AI01619B
该M48Z35AY / 35AV是一个非易失性销和
等同于任何JEDEC标准32K ×8的功能
SRAM 。它也可轻松放入很多ROM ， EPROM ，
和EEPROM插座，提供所述非挥发性
PROM中没有特殊的任何规定，
写时序或限制写入次数
可以进行的。 28引脚600mil DIP
CAPHAT 容纳M48Z35AY / 35AV硅
在单个封装，寿命长的锂扣式电池
年龄。
28引脚330mil SOIC封装提供与插座
镀金触点两端直接CON-
nection到一个单独的SNAPHAT壳体载
荷兰国际集团的电池。独特的设计使
要安装在顶部SNAPHAT电池包
SOIC封装完成后的
表面贴装工艺。该SNAPHAT的插入
回流后机身可防止潜在的电池
由于所需的高温损害
设备表面安装。该SNAPHAT住房
被锁定式设计，防止反向插入。
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