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M48Z08
M48Z18
64千位（8KB ×8 ） ZEROPOWER
SRAM
集成超低功耗SRAM ，
电源失效控制电路和
电池
没有写次数限制
读周期时间等于写周期
时间
自动电源失效芯片DESELECT和
写保护
写保护电压不
(V
PFD
=电源故障取消电压） ：
- M48Z08 ： 4.50V
≤
V
PFD
≤
4.75V
- M48Z18 ： 4.20V
≤
V
PFD
≤
4.50V
在CAPHAT独立电池
DIP封装
包装包括一个28引脚SOIC
和SNAPHAT
TOP （需订购
另发）
SOIC封装提供直接
连接对于一个SNAPHAT TOP其中
包含电池
引脚和功能兼容的
DS1225和JEDEC标准8K ×8
静态存储器
描述
该M48Z08 / 18 ZEROPOWER
RAM是8K X
8非易失性静态RAM是引脚和功能
tional与DS1225兼容。单片
芯片有两个特殊的封装来提供可用
一个高度集成的电池备份存储器所谓
（分辨率）。
表1.信号名称
A0-A12
DQ0-DQ7
E
G
W
V
CC
V
SS
1999年3月
地址输入
数据输入/输出
芯片使能
OUTPUT ENABLE
SNAPHAT （ SH ）
电池
28
28
1
1
PCDIP28 （PC）的
电池CAPHAT
SOH28 （ MH ）
图1.逻辑图
VCC
13
A0-A12
M48Z08
M48Z18
8
DQ0-DQ7
W
E
G
VSS
写使能
电源电压
地
1/18
AI01022
