先进的功率MOSFET
特点
!
逻辑电平栅极驱动
!
雪崩坚固的技术
!
坚固的门栅氧化层技术
!
较低的输入电容
!
改进的栅极电荷
!
扩展安全工作区
!
低漏电流： 10
μA
（最大值） @ V
DS
= 200V
!
低
DS （ ON）
： 0.335Ω （典型值）
IRLS630A
BV
DSS
= 200 V
R
DS （ ON）
= 0.4
Ω
I
D
= 6.5 A
TO-220F
1
2
3
1.Gate 2.排水3.源
绝对最大额定值
符号
V
DSS
I
D
I
DM
V
GS
E
AS
I
AR
E
AR
dv / dt的
P
D
T
J
, T
英镑
T
L
特征
漏极至源极电压
连续漏电流（T
C
=25℃)
连续漏电流（T
C
=100℃)
漏电流脉冲
栅极 - 源极电压
单脉冲雪崩能量
雪崩电流
重复性雪崩能量
峰值二极管恢复的dv / dt
总功率耗散（T
C
=25℃)
线性降额因子
工作结
存储温度范围
最大的铅温度。焊锡
目的， 1/8“案件从5秒
②
①
①
③
①
价值
200
6.5
4.1
32
±20
56
6.5
3.6
5
36
0.29
- 55 + 150
单位
V
A
A
V
mJ
A
mJ
V / ns的
W
W/℃
℃
300
热阻
符号
R
θJC
R
θJA
特征
结到外壳
结到环境
典型值。
--
--
马克斯。
3.47
62.5
单位
o
C / W
REV 。一
