IRFR214 ， IRFU214
电气连接特定的阳离子
参数
内部排水电感
T
C
= 25
o
C，除非另有规定编
（续）
符号
L
D
测试条件
测量从
漏极引线的6mm
（ 0.25英寸），从包
以模具中心
测量从
来源铅的6mm
（ 0.25英寸）从包头到
来源粘合垫
修改MOSFET
符号显示的
内部设备
电感
D
L
D
G
L
S
S
民
-
典型值
4.5
最大
-
单位
nH
内部源极电感
L
S
-
7.5
-
nH
热阻结到外壳
热阻结到环境
R
θJC
R
θJA
自由空气操作
-
-
-
-
5.0
110
o
C / W
o
C / W
源极到漏极二极管特定网络阳离子
参数
连续源极到漏极电流
脉冲源极到漏极电流
（注2 ）
符号
I
SD
I
SDM
测试条件
修改MOSFET
符号显示在 -
tegral反转
P-N结二极管
D
民
-
-
典型值
-
-
最大
2.2
8.8
单位
A
A
G
S
源极到漏极二极管电压（注4 ）
反向恢复时间
反向恢复电荷
注意事项：
V
SD
t
rr
Q
RR
T
J
= 25
o
C，我
SD
= 2.2A ，V
GS
= 0V （图10）
T
J
= 25
o
C，我
SD
= 2.7A ，二
SD
/ DT = 100A / μs的
T
J
= 25
o
C，我
SD
= 2.7A ，二
SD
/ DT = 100A / μs的
-
97
0.32
-
-
-
2.0
390
1.3
V
ns
C
2.脉冲测试：脉冲宽度
≤
300μS ，占空比
≤
2%.
3.重复评价：脉冲宽度有限的最高结温。见瞬态热阻抗曲线。 （图3）
4. V
DD
= 50V ，起始物为
J
= 25
o
C，L = 21mH ，R
G
= 25Ω ，峰值I
AS
= 2.2A.
典型性能曲线
1.2
功耗乘法器
1.0
除非另有规定编
2.4
2.0
I
D
，漏电流（ A）
0
50
100
150
0.8
0.6
0.4
0.2
0
1.6
1.2
0.8
0.4
0
T
C
，外壳温度（
o
C)
25
50
75
100
125
T
C
，外壳温度（
o
C)
150
图1.归功耗与案例
温度
图2.最大连续漏极电流VS
外壳温度
4-385
