PD - 94099A
IRFP32N50K
开关电源MOSFET
应用
l
开关模式电源（SMPS ）
l
不间断电源
l
高速电源开关
l
硬开关和高频
电路
好处
l
低栅极电荷Qg结果简单
驱动要求
l
改进的门，雪崩和动态
的dv / dt坚固
l
充分界定电容和
雪崩电压和电流
l
低R
DS （ ON）
绝对最大额定值
参数
I
D
@ T
C
= 25°C
I
D
@ T
C
= 100°C
I
DM
P
D
@T
C
= 25°C
V
GS
dv / dt的
T
J
T
英镑
连续漏电流， V
GS
@ 10V
连续漏电流， V
GS
@ 10V
漏电流脉冲
功耗
线性降额因子
栅极 - 源极电压
峰值二极管恢复的dv / dt
工作结
存储温度范围
焊接温度，持续10秒
（ 1.6毫米的情况下）
安装扭矩， 6-32或M3螺丝
HEXFET
功率MOSFET
V
DSS
500V
R
DS （ ON）
典型值。
0.135
I
D
32A
TO-247AC
马克斯。
32
20
130
460
3.7
± 30
13
-55到+ 150
300
单位
A
W
W / ℃，
V
V / ns的
°C
10磅*中（ 1.1N *米）
雪崩特性
符号
E
AS
I
AR
E
AR
参数
单脉冲雪崩能量？
雪崩电流？
重复性雪崩能量？
典型值。
–––
–––
–––
马克斯。
450
32
46
单位
mJ
A
mJ
热阻
符号
R
θJC
R
θCS
R
θJA
参数
结到外壳
案件到水槽，平面，脂表面
结到环境
典型值。
–––
0.24
–––
马克斯。
0.26
–––
40
单位
° C / W
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1
05/24/01
