IRF640S
电气特性
（续）
接通
Symbo升
t
D（上）
t
r
Q
g
Q
gs
Q
gd
参数
开启时间
上升时间
总摹吃费
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
测试刀豆ditions
V
DD
= 100 V I
D
= 9 A
R
G
= 4.7
V
GS
= 10 V
（见测试电路，图3 ）
V
DD
= 160 V
I
D
= 18 A
V
GS
= 10V
分钟。
典型值。
13
27
55
10
21
马克斯。
17
35
72
单位
ns
ns
nC
nC
nC
关闭
Symbo升
t
R（ Voff时）
t
f
t
c
参数
关闭电压上升牛逼IME
秋季牛逼IME
交叉时间
测试刀豆ditions
V
DD
= 160 V I
D
= 18 A
R
G
= 4.7
V
GS
= 10 V
（见测试电路，图5 ）
分钟。
典型值。
21
25
50
马克斯。
27
32
65
单位
ns
ns
ns
源漏二极管
Symbo升
I
SD
I
SDM
()
V
SD
(
)
t
rr
Q
rr
I
RRM
参数
源极 - 漏极电流
源极 - 漏极电流
（脉冲的）
正向电压上
反向恢复
时间
反向恢复
收费
反向恢复
当前
I
SD
= 18 A
V
GS
= 0
240
1.8
15
I
SD
= 18所述的di / dt = 100 A /
s
o
T
j
= 150 C
V
DD
= 50 V
（见测试电路，图5 ）
测试刀豆ditions
分钟。
典型值。
马克斯。
18
72
1.5
单位
A
A
V
ns
C
A
(
）脉冲：脉冲宽度= 300
S，占空比1.5 ％
（ ）脉冲宽度有限的安全工作区
安全工作区
热阻抗
3/8
