飞思卡尔半导体公司
概述
引脚说明
在V
STBY
引脚用于输入随机存取存储器（RAM）中的备用电源。
当该引脚上的电压超过一个MOS阈值（约0.7伏）
在V以上
DD
电压时，复位逻辑的内部RAM和部件是动力
从这个信号，而不是在V
DD
输入。这允许RAM的内容被保留
无V
DD
电源接通MCU 。复位必须V之前被拉低
DD
is
删除，必须保持为低电平，直到V
DD
已经恢复到有效电平。
1.4.7.1 V
RL
和V
RH
这两个输入端提供参考电压的模拟 - 数字（A / D）的
转换器电路：
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V
RL
是低基准，通常为0伏。
V
RH
是高参考。
对于正确的A / D转换器的操作：
1.4.8 STRA / AS
频闪A（ STRA ）和地址选通（ AS ）引脚执行两种不同的
功能，根据不同的操作模式：
在单芯片模式， STRA执行输入握手（选通输入）
功能。
在扩展复用模式， AS提供一个地址选通信号的功能。
V
RH
至少应为3伏大于Vout
RL
.
V
RL
和V
RH
应该是V之间
SS
和V
DD
.
AS可用于解复用地址和数据信号在端口C参见
第二节运行模式和片上存储器。
1.4.9 STRB / R / W
在选通B（ STRB ）和读/写（R / W）的销充当任一个输出选通脉冲，或作为
一个数据总线方向指示器，这取决于操作模式。
在单片运行模式中， STRB充当可编程选通为
握手与其他并行设备。请参阅
第6章并行输入/输出
（ I / O）端口
了解更多信息。
在扩展复用操作模式中， R / W是用于指示的方向
传输外部数据总线上。在R / W引脚上的低电平表示数据正在
写入到外部数据总线。该引脚上的高电平表示读周期中
进展情况。 R / W期间连续数据总线写周期，诸如始终为低
双字节存储。这是可能的数据被驱动输出端口的C，如果内部读
能见度（ IRV ）被使能和一个内部地址被读取时，即使R / W是一个
高阻抗状态。请参阅
第二节操作模式和片
内存
关于IRVNE更多的信息（内部读的知名度并不E） 。
M68HC11E家庭 - 启示录5
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数据表
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