ESD二极管
MAZT000H系列
硅平面型
0.28
±0.05
单位：mm
0.12
+0.05
–0.02
0.80
±0.05
对于浪涌吸收电路
s
特点
两个元素阳极普通型
P
合计
=
150毫瓦
(0.51)
(0.80) (0.80)
1.60
+0.05
–0.03
3
1.60
±0.05
(0.44)
3
(0.44)
0.60
+0.05
–0.03
1 2
(0.80)
0.28
±0.05
(0.51)
s
绝对最大额定值
T
a
=
25°C
参数
总功耗
*
结温
储存温度
注）* ：与印刷电路板
符号
P
合计
T
j
T
英镑
等级
150
150
55
to
+150
单位
mW
°C
°C
3
0-0.1
EIAJ ：SC- 89
1 ：阴极1
2 ：阴极2
3 ：阳极1,2
SSMini3 -F2套餐
内部连接
3
1
2
s
通用电气特性
T
a
=
25°C
*1
参数
齐纳
电压
*2
符号
V
Z
R
ZK
R
Z
I
R
I
Z
I
Z
I
Z
V
R
条件
特定网络ED值
特定网络ED值
特定网络ED值
特定网络ED值
参阅的列表
电气特性
部件号内
民
典型值
最大
单位
V
A
齐膝盖经营性
齐纳营业性
反向电流
注）按照JIS C7031试验1.试验方法
2.静电击穿电压为
±10
kV
测试方法： IEC1000-4-2 （C
=
150 pF的，R
=
330
,
接触放电： 10次）
3. * 1： V
Z
值是在25℃的温度下进行。在其他情况下，进行温度补偿。
* 2 ：在保证电后20毫秒。
(0.15)
(0.375)
0.88
+0.05
–0.03
出版日期： 2002年2月
SKE00013BED
1
