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HY29LV800
概述
该HY29LV800是8兆， 3伏只， CMOS
组织为1,048,576 （ 1M）字节Flash存储器
或524288 （ 512K ）的话可用在44-
引脚PSOP ， 48引脚TSOP和48球FBGA封装
老少皆宜。字宽的数据（ ×16）上出现的DQ [15：0 ]
和字节宽的（x8）数据出现在DQ [7：0 ] 。
该HY29LV800可以编程和擦除
在系统用一个3伏V
CC
供应量。之间
应受产生稳压电压亲
vided用于编程和擦除操作，以便
该设备不要求较高的电压V
PP
电源来执行这些功能。 DE-的
副也可以在标准EPROM编程
程序员。存取时间低至70 ns的过
2.7在整个工作电压范围 - 3.6伏特
供时序与零的兼容性
等到高速状态下的要求微处理器的
处理机。 A 55 ns的版本运行在3.0至
3.6伏也可以。为了消除总线CON-
张力，在HY29LV800有独立的芯片使能
（ CE ＃ ） ，写使能（ WE＃ ）和输出使能
（ OE ＃ ）控制。
该设备与JEDEC兼容单
电源闪存命令集的标准。 COM的
要求主要通过写入命令寄存器
标准的微处理器写时序。他们是
然后传送到内部状态机的CON组
指令对擦除和编程电路。设备
编程时，每次执行一个字节/字
通过执行四冲程程序命令
写序。这将启动内部算法
自动时间程序的脉冲宽度
并验证正确的电池余量。更快的编程
明朝时代可以通过将实现
HY29LV800在解锁绕道模式，
只需要两个写周期编程数据IN-
代替四。
该HY29LV800的扇区擦除架构允许
要被擦除并重新任何数值列的扇区
在不影响数据内容的目的
其他部门。设备擦除是通过启动
执行擦除命令序列。这
该自动启动一个内部算法
preprograms阵列（如果它尚未亲
编程）执行擦除操作之前。
由于在编程周期，设备自动
matically次擦除脉冲宽度和veri-
外商投资企业适当的细胞保证金。硬件部门保护
化选择性禁用这两个编程和擦除
在该领域的任何组合操作
所述存储器阵列，而临时机构外部器件了
TECT允许在系统擦除和修改代码
在以前受保护的行业。擦除挂起
使用户能够把擦除搁置任何PE-
时间RIOD读取数据，或程序数据，
未选择擦除任何部门。真
背景擦除可以由此来实现。 DE-的
出厂时，副完全删除。
所需的编程地址和数据
和擦除操作过程中被内部锁存
写周期，并且在主机系统可以检测到
编程或擦除操作完成所
观察RY / BY ＃引脚，或通过读出的DQ [7]
（数据＃查询）和DQ [6] （切换）的状态位。
硬件数据保护措施，包括低
V
CC
探测器可以自动抑制写OP-
在电源转换操作。
经过编程或擦除周期一直的COM
pleted ，或者RESET ＃引脚断言（后
终止任何正在进行的操作） ，该设备
准备读数据或接受其它的COM
命令。读数据从器件中是类似
读取其他闪存或EPROM器件。
两个省电功能都体现在
HY29LV800 。当地址已经稳定
对于一个指定的时间量时，器件进入
自动睡眠模式。主机也可以将
设备进入待机模式。功率变
消耗是在这两个模式下大大降低。
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1.0版/十一月01
