摩托罗拉
半导体技术资料
订购此文件
通过MCM72F8 / D
2MB和4MB高速同步
静态RAM模块
该MCM72F8 （2MB ）被配置为256K X 72位和MCM72F9 （4MB ）
被配置为512K X 72位。二者都被包装在一个168脚双列直插式
内存DIMM 。每个模块采用Motorola的3.3 V 256K ×18位
流通BurstRAMs 。
除了输出地址（A ） ，数据输入（ DQ ， DP ） ，和所有的控制信号使
（G）中的时钟（K）通过正边沿触发的同相控制
寄存器。
写周期是内部自定时的通过的上升沿启动
时钟（ K）的输入。此功能提供了进入的时机增加灵活性
信号。同步字节写入（ W）允许其写入单个字节或
两个字节。
采用3.3 V单+ 10 ％ ， - 5 ％电源
插头和引脚具有2MB和4MB的兼容性
多个时钟引脚用于精简加载
所有输入和输出都是LVTTL兼容
字节写能力
快速SRAM访问时间： 12年8月9日NS
去耦电容对于每个快速静态RAM
高品质多层FR4电路板，带独立电源和接地
飞机
AMP连接器，部件号： 390064-4
168针DIMM模块
MCM72F8
MCM72F9
168 -LEAD DIMM
CASE 1115J -01
顶视图
1
11
40
41
84
REV 3
11/26/97
摩托罗拉1997年公司
摩托罗拉快速SRAM
MCM72F8MCM72F9
1
