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MCP3551/3
直流特性(续)
电气连接特定的阳离子:
除非另有说明,所有参数均适用于-40°C
T
A
+85 ? C,V
DD
= 2.7V或5.0V 。
V
REF
= 2.5V. V
IN
+ = V
IN
- = V
CM
= V
REF
/ 2 。所有ppm单位使用2 * V
REF
为满量程范围。除非另有说明,说明书中
适用于整个MCP3551 / 3的家庭。
参数
抑制性能
(1,6)
共模抑制DC
直流电源抑制
共模50/60 Hz抑制
电源50/60 Hz抑制
普通模式50或60赫兹
拒绝
CMRR
PSRR
NMRR
-135
-115
-135
-85
-85
dB
dB
dB
dB
dB
V
CM
变化从0V到V
DD
V
DD
变化从4.5V至5.5V
MCP3551
只是,
0℃, V
CM
& LT ; V
DD
,
-V
REF
& LT ; V
IN
= (V
IN
+ -V
IN
- ) <
+V
REF
V
CM
范围从0到V
DD
符号
典型值
最大
单位
条件
模拟输入
差分输入范围
绝对/共模电压
模拟输入采样电容
差分输入阻抗
关断模式下的泄漏电流
参考输入
电压范围
参考输入采样
电容
参考输入阻抗
关断模式参考
漏电流
电源要求
电源电压范围
MCP3551
电源电流
MCP3553
电源电流
电源电流,睡眠模式
电源电流,关断模式
串行接口
电压输入高(CS , SCK )
输入电压低( CS , SCK )
电压输出,高( SDO / RDY )
电压输出低( SDO / RDY )
输入漏电流
( CS , SCK )
内部引脚电容
( CS , SCK , SDO / RDY )
注1 :
2:
3:
4:
5:
6:
V
IH
V
IL
V
OH
V
OL
I
LI
C
INT
0.7 V
DD
V
DD
- 0.5
-1
5
0.4
0.4
1
V
V
V
V
A
pF
注1
V
OH
= 1毫安, V
DD
= 5.0V
V
OH
= -1毫安,V
DD
= 5.0V
V
DD
I
DD
I
DD
I
DDSL
I
DDS
2.7
120
100
140
120
10
1
5.5
170
185
V
A
A
A
A
A
A
CS = SCK = V
DD
V
DD
= 5V
V
DD
= 2.7V
V
DD
= 5V
V
DD
= 2.7V
0.1
15
2.4
1
V
DD
V
pF
nA
注5
注4
V
IN
+ = V
IN
- = V
SS
; CS = V
DD
V
IN +
V
IN-
-V
REF
V
SS
- 0.3
10
2.4
1
+V
REF
V
DD
+ 0.3
V
V
pF
nA
V
IN
+ = V
IN
- = V
DD
; CS = V
DD
(注3)
注5
此参数仅为特征值,并未经过100 %测试。
INL是端点线与量化频带的中心测量的代码之间的差。
该电流是由于V的偏置电压是由于漏电流与电流
IN
+和V
IN
-.
输入阻抗是成反比的时钟频率;典型值是MCP3551器件。 V
REF
= 5V.
设计特征值,但未经测试。
抑制性能取决于内部振荡器精度;看
第4.0节“器件概述”
了解更多信息
化上振荡器和数字滤波器的设计。 MCP3551器件排斥规格特点,从49到61赫兹。
2005年Microchip的科技公司
DS21950B第3页

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