MIC4416
功耗
最大功耗不得超过到
防止模具危机或恶化。
在通/断开关应用中的功率耗散可以忽略不计。
快速重复的开关应用中，如开关电源（开关
模式电源） ，导致执政的显著增加
功耗与频率。电源每次消散
电流通过内部输出MOSFET时
充电或放电，外部MOSFET 。功率也
每次转换时，当前的一些momen-中消散
tarily从VS传递到GND通过内部MOSFET的。
功耗是电源电压和供给的产物
当前位置：
1)
P
D
= V
S
×
I
S
P
D
=功耗（ W）
V
S
- 电源电压（ V）
I
S
=电源电流（ A） [见下文段]
电源电流是电源电压的功能，切换
频率和负载电容。确定此值
“典型特性：电源电流与频率的关系”
绘制或在实际应用中测量它。
不要让P
D
超过P
D（最大）
下文。
T
J
（结温度） T的总和
A
（环境温度
TURE ）和横跨热敏电阻的温度上升
包的。在另一种形式中：
2)
其中：
麦克雷尔
高频率运行
虽然MIC4416 / 7驱动程序会在运行频率
大于1MHz时， MOSFET的电容和负载
会影响输出波形（在该MOSFET的漏极） 。
例如，一个MIC4416 / IRL3103测试电路利用47Ω
5W负载电阻器将产生一个输出波形紧密
输入信号的形状高达约500kHz的匹配。该
同样的测试电路与一个1kΩ负载电阻工作只到
关于MOSFET的源极波形显示前25kHz的
显著变化。
慢上升时间
观察
MOSFET的漏极
+5V
+ 4.5V至18V
4.7F
0.1F
3
4
比较
47k
, 5W
to
1k
, 1/4W
负载
D
G
S
MIC4416
VS
CTL
G
GND
2
1
逻辑电平
MOSFET
IRL3103*
逻辑
输入
*国际整流器
14m
， 30V MOSFET ，
逻辑电平，V
GS
=
±
20V最大。
在图5的高MOSFET电容效应
开关频率
当MOSFET被驱动关闭时，较慢的上升发生
由于MOSFET的输出电容充电至
负载电阻（ RC电路） 。较低的负载电阻
允许输出上升得更快。为了达到最快的驱动程序操作
化，选择最小的功率MOSFET ，将安全
处理所需的电压，电流和安全裕度。该
最小的MOSFET通常有最低的电容。
5
P
D
≤
150
T
A
220
其中：
P
D（最大）
=最大功率耗散（ W）
150 =绝对最高结温（ ° C）
T
A
=环境温度（ ℃） [68 °F = 20 ° C]
220 =封装热阻（ ° C / W）
最大功率耗散在20℃下用锡焊的驱动
一个0.25英寸
2
地平面约600mW的。
G
PCB的散热片/
地平面
GND
VS
CTL
PCB走线
图4.散热器平面
采用SOT -143封装
θ
JA
（结到环境的热重
sistance ）可通过使用热来提高吸收比大
规定的0.25英寸
2
接地平面。显著的传热
发生过大（ GND ）的领先优势。这导致的是
延伸的桨中，向其中芯片贴装。
1998年4月
5-31
