MIC841/2
麦克雷尔
一旦所需的跳变点确定，设置V
IN（ HI ）
第一门槛。
例如，使用一个总1MΩ = R1 + R2 + R3中。对于一个典型的
单节锂离子电池， 3.6V是一个很好的“高门槛”
因为在3.6V的电池被适度充电。求解
对于R3 ：
1M
V
IN（ HI ）
=
3.6V
=
1.24
R3
R3
=
344k
一旦R 3被确定，公式为V
IN （LO）
可以使用
确定R2。单节锂离子电池，例如，应
不能排出低于2.5V 。许多应用程序限制
漏到3.1V 。使用3.1V的V
IN （LO）
阈值允许
剩下的两个电阻值的计算。
应用信息
产量
该MIC841N和MIC842N输出为开漏
的MOSFET ，因此，大多数应用需要一个上拉电阻。
电阻器的值不应该太大或泄漏
效果可能会占据主导地位。 470KΩ是最大推荐
值。注意， “N”的版本的输出可以被向上拉的
不论该集成电路的电源电压高至6V 。的“H”和
“L”的版本MIC841和MIC842的具有推挽
输出级，以夹紧到V的二极管
DD
。因此，马克西
的“H”和“L”的版本妈妈的输出电压为V
DD
。看
“
电气特性。
”
当大电阻输入工作的设备，
少量的泄漏电流会引起电压的偏移
这降低系统的精度。最大建议
从V总电阻
IN
接地是3MΩ 。的精度
电阻器可以根据精度来选择再
由系统quired 。该输入可以经受
电压高达6V稳态无不良影响
任何一种不论该集成电路的电源电压。这适用
即使在电源电压为零。这使得情况
在该集成电路的电源被关断，但电压仍然存在
上的输入。请参阅“
电气特性。
”
编程MIC841阈值
低电压阈值的计算公式：
V
IN （LO）
R1
+
R2
+
R3
=
V
REF
R2
+
R3
1M
V
IN （LO）
=
3.1V
=
1.24
R2
+
344k
R2
=
56k
1M
(
R2
R3
)
=
R1
R1
=
600k
电阻器的精度可基于所选择的
所要求的系统精度。
编程MIC842阈值
该电压阈值是用计算值：
R1
+
R2
V
IN （LO）
=
V
REF
R2
高电压阈值的计算公式：
R1
+
R2
+
R3
V
IN（ HI ）
=
V
REF
R3
其中，对于两个方程：
V
REF
=
1.240V
其中：
V
REF
=
1.240V
V
IN
MIC842N
R1
5
为了提供解决所需的附加的准则
的电阻值，该电阻可被选择，使得
他们有一个给定的总价值，即， R1 + R2 + R3 = R
总
.
值，如1MΩ的R
总
是一个合理的值
因为它吸取电流最小，但没有显著
对精度的影响。
V
IN
V
DD
470k
4
VDD
INP
OUT
GND
V
OUT
1
2
R2
图2. MIC842范例电路
MIC841N
5
3
1
R1
604k
1%
56k
1%
340k
1%
VDD
LTH
HTH
OUT
GND
4
470k
V
OUT
2
R2
R3
为了提供解决所需的附加的准则
的电阻值，该电阻可被选择，使得
他们有一个给定的总价值，即， R1 + R2 = R
总
. A
值，例如1MΩ的R
总
是一个合理的值，因为
它吸引最小电流，但对无显著影响
准确度。
图1. MIC841范例电路
MIC841/2
6
2004年9月
