HI- 8582 ， HI- 8583
VDD = 5V ，V + = 10V ，V - = - 10V ， GND = 0V ， TA =歌剧院。温度。范围和FCLK = 1MHz的+ 0.1 ％与60/40的占空比
参数
控制字时序
脉冲宽度 - CWSTR
设置 - 数据总线有效到CWSTR高
持有 - CWSTR HIGH到数据总线高阻
接收FIFO和标签读时序
延迟 - 启动ARINC第32位到D / R低：高速
低速
延迟 - D / R低到EN L0W
延迟 - EN低到D / R高
设置 - SEL为EN L0W
保持 - SEL为EN HIGH
延迟 - EN L0W到数据总线有效
延迟 - EN HIGH到数据总线高阻
脉冲宽度 - EN1或EN2
间距 - EN HIGH到明年EN L0W （同ARINC字）
间距-EN HIGH到明年EN LOW （下一页ARINC字）
发送器FIFO和标签写时序
脉冲宽度 - PL1和PL2
设置 - 数据总线有效到PL HIGH
持有 - PL HIGH到数据总线高阻
间距 - PL1和PL2
标签写入脉冲之间的间隔
延迟 - PL2高到TX / R低
发送时序
间距 - PL2高到ENTX高
延迟 - 第32 ARINC位为TX / R高
间距 - TX / R高到ENTX L0W
线路驱动器输出时序
延迟 - ENTX高到TXAOUT或TXBOUT ：高速
延迟 - ENTX高到TXAOUT或TXBOUT ：低速
线路驱动器转换时间差：
（高速，控制寄存器CR13 =逻辑0 ）
前高后低
从低到高
符号
范围
民
典型值
最大
单位
t
CWSTR
t
CWSET
t
CWHLD
50
50
0
ns
ns
ns
t
D / R
t
D / R
t
D / REN
t
END / R
t
SELEN
t
ENSEL
t
ENDATA
t
DATAEN
t
EN
t
恩恩
t
读进来
60
60
200
0
250
0
0
60
50
16
128
350
s
s
ns
ns
ns
ns
100
80
ns
ns
ns
ns
ns
t
PL
t
DWSET
t
DWHLD
t
PL12
t
LABEL
t
TX / R
50
50
0
85
200
300
ns
ns
ns
ns
ns
ns
t
PL2EN
t
DTX / R
t
ENTX / R
0
50
0
s
ns
ns
t
ENDAT
t
ENDAT
t
fx
t
rx
1.0
1.0
1.5
1.5
25
200
2.0
2.0
s
s
s
s
中继器操作时序图
延迟 - EN低到PL低
持有 - PL HIGH到EN HIGH
延迟 - TX / R低到高ENTX
主复位脉冲宽度
ARINC数据速率和时序位
TENPL
TPLEN
TTX / REN
TMR
0
0
0
50
± 1%
ns
ns
ns
ns
HOLT集成电路
13
