位置：首页 > IC型号导航 > 首字符H型号页 > 首字符H的型号第306页 > HGTG30N120CN > HGTG30N120CN PDF资料 > HGTG30N120CN PDF资料3第1页
HGTG30N120D2
1995年4月
30A ， 1200V N沟道IGBT
包
JEDEC风格-247
辐射源
集热器
门
集热器
（底侧
金属）
特点
30A ， 1200V
闭锁免费运营
典型下降时间 - 580ns
高输入阻抗
低传导损耗
描述
该HGTG30N120D2是MOS门控高压开关
设备相结合的MOSFET和双极性的最佳功能
晶体管。该装置具有一MOSFET导的高输入阻抗
场效应晶体管和双极晶体管的低导通状态的导通损耗。
在低得多的通态压降变化只是适度
+25之间
o
C和+150
o
C.
该IGBT是适合许多高电压开关应用
在中等频率上低传导损耗操作
是必不可少的，如：交直流马达控制，电源支持
层和驱动电磁阀，继电器和接触器。
包装供货情况
产品型号
HGTG30N120D2
包
TO-247
BRAND
G30N120D2
E
G
端子图
N沟道增强模式
C
以前发育类型TA49010
绝对最大额定值
T
C
= +25
o
C，除非另有规定编
HGTG30N120D2
1200
1200
50
30
200
±20
±30
200A为0.8 BV
CES
208
1.67
-55到+150
260
6
15
单位
V
V
A
A
A
V
V
-
W
W/
o
C
o
C
o
C
S
S
集电极 - 发射极电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 BV
CES
集电极 - 栅极电压，R
GE
= 1MΩ 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
CGR
连续集电极电流在T
C
= +25
o
温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。我
C25
在V
GE
= 15V在T
C
= +90
o
温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。我
C90
集电极电流脉冲（注1 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。我
CM
栅极 - 发射极电压连续。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
GES
栅极 - 发射极电压脉冲。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
创业板
开关安全工作区在T
J
= +150
o
温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .SSOA
功耗总在T
C
= +25
o
温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 P
D
功耗降额合计牛逼
C
> +25
o
C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
工作和存储结温范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。牛逼
J
, T
英镑
最大无铅焊接温度的。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。牛逼
L
短路耐受时间（注2） V
GE
= 15V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。吨
SC
在V
GE
= 10V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。吨
SC
注意事项：
1.重复额定值：脉冲宽度有限的最高结温。
2. V
CE （ PEAK ）
= 720V ，T
C
= +125
o
C，R
GE
= 25.
哈里斯半导体IGBT产品受以下一项或美国专利更多：
4,364,073
4,587,713
4,641,162
4,794,432
4,860,080
4,969,027
4,417,385
4,598,461
4,644,637
4,801,986
4,883,767
4,430,792
4,605,948
4,682,195
4,803,533
4,888,627
4,443,931
4,618,872
4,684,413
4,809,045
4,890,143
4,466,176
4,620,211
4,694,313
4,809,047
4,901,127
4,516,143
4,631,564
4,717,679
4,810,665
4,904,609
4,532,534
4,639,754
4,743,952
4,823,176
4,933,740
4,567,641
4,639,762
4,783,690
4,837,606
4,963,951
注意：这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。
http://www.intersil.com或407-727-9207
|
版权
Intersil公司1999
网络文件编号
2834.2
3-111
