HGT1S20N60B3S ， HGTP20N60B3 ，
HGTG20N60B3
数据表
2000年1月
网络文件编号
3723.6
40A ， 600V ， UFS系列N沟道IGBT的
该HGT1S20N60B3S的HGTP20N60B3和
HGTG20N60B3是第三代MOS门控高压
开关器件的MOSFET相结合的最佳功能
和双极型晶体管。这些器件具有高输入
MOSFET的阻抗和低的导通状态导通
损失一个双极晶体管组成。在低得多的导通电压
降变化只是适度的25
o
C和150
o
C.
该IGBT适用于多种高压开关
在中等频率工作的应用中，低
导通损耗是必不可少的，如：交，直流电动机
控制，电源和驱动电磁阀，继电器
和接触。
以前发育类型TA49050 。
特点
40A ， 600V在T
C
= 25
o
C
600V开关SOA能力
典型的下降时间。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 140ns 150
o
C
额定短路
低传导损耗
相关文献
- TB334 “指南焊锡表面贴装
组件到PC板“
包装
JEDEC TO- 263AB
订购信息
产品型号
HGTP20N60B3
HGT1S20N60B3S
HGTG20N60B3
包
TO-220AB
TO-263AB
TO-247
BRAND
G20N60B3
G20N60B3
HG20N60B3
JEDEC TO- 220AB （候选版本）
E
C
G
E
集热器
（法兰）
注：订货时，使用整个零件编号。添加SUF科幻X 9A
获得TO- 263AB卷带式，即HGT1S20N60B3S9A 。
G
符号
C
集热器
（法兰）
G
JEDEC风格-247
E
E
C
G
集热器
（法兰）
Intersil公司IGBT产品受以下一个美国的一项或多项专利权
4,364,073
4,598,461
4,682,195
4,803,533
4,888,627
4,417,385
4,605,948
4,684,413
4,809,045
4,890,143
4,430,792
4,620,211
4,694,313
4,809,047
4,901,127
4,443,931
4,631,564
4,717,679
4,810,665
4,904,609
4,466,176
4,639,754
4,743,952
4,823,176
4,933,740
4,516,143
4,639,762
4,783,690
4,837,606
4,963,951
4,532,534
4,641,162
4,794,432
4,860,080
4,969,027
4,587,713
4,644,637
4,801,986
4,883,767
1
注意：这些器件对静电放电敏感;遵循正确的ESD处理程序。
1-888- INTERSIL或321-724-7143
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版权
Intersil公司2000
