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HFA1112
设计信息
（续）
在本节包含的信息已通过鉴定由Intersil半导体已经开发并用作
应用和设计仅供参考。不能保证是不言而喻的。
典型性能曲线
-24
-30
V
供应
=
±5V,
R
L
= 100, T
A
= +25
o
C，除非另有规定编
（续）
高频的反向隔离（S
12
)
235
180
相
A
V
= +1
增益（dB ）
-24
-30
-36
-42
收益
A
V
= +2
A
V
= +1
A
V
= -1
A
V
= +1
A
V
= -1
A
V
= +2
90
45
0
相位（度）
低频的反向隔离（S
12
)
-36
-42
增益（dB ）
-48
-54
-60
-66
-72
-78
-84
0
20
40
60
80
100
120 140
160
180
200
频率（MHz）
A
V
= +2
A
V
= -1
A
V
= +2
A
V
= -1
-48
-54
-60
100 190
280 370
460 550 640 730
频率（MHz）
820
910 1000
1分贝增益压缩与频率
输出功率1dB压缩（ DBM）
20
18
16
A
V
= -1
14
A
V
= +2
12
10
8
6
4
2
0
100
200
300
频率（MHz）
400
500
A
V
= +1
三阶交调截点与频率
30
2 - TONE
截取点（ DBM）
A
V
= -1
20
A
V
= +2
A
V
= +1
10
0
100
200
300
频率（MHz）
400
二阶谐波失真VS P
OUT
-20
-30
-40
-50
-60
100MHz
-70
-80
-90
-100
-6
-3
0
3
6
9
12
15
输出功率（dBm ）
50MHz
30MHz
A
V
= +2
-20
-30
-40
失真（ DBC）
-50
-60
-70
-80
-90
-100
-6
第三谐波失真VS P
OUT
A
V
= +2
失真（ DBC）
30MHz
50MHz
100MHz
-3
0
3
6
9
12
15
18
输出功率（dBm ）
规格编号
195
511084-883
